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PROVision® 3E 전자빔 계측

반도체 형상이 계속 스케일링되고 소자 구조의 밀도와 복잡성이 높아짐에 따라, 제조 공정에 더 많은 단계가 사용되고 공정 제어 한도가 더 엄격해지고 있습니다. 기존의 광학 계측 은 측정 결함을 일으켜 의도한 패턴을 온다이 결과와 상관시키는 작업을 어렵게 만들고 있습니다. 그 결과, 오늘날 최신 칩 설계는 광학 타겟 기반 근사, 통계적 샘플링 및 단일층 제어를 뛰어넘는 새로운 계측이 필요합니다.

PROVision 3E 시스템은 나노미터 단위 분해능, 빠른 속도, 레이터 투과 이미징을 결합해 3nm 파운드리 로직 칩, GAA 트랜지스터, 차세대 DRAM 및 3D 수직 구조 낸드 등 최첨단 침 설계 패터닝에 필요한 수 백만 개의 데이터 포인트를 제공합니다. 이러한 기능을 통해 광학 계측의 사각지대를 없애 웨이퍼 전반은 물론 칩의 여러 레이어를 투과하는 정확한 계측을 수행하여 PPAC를 향상하고 새로운 공정 기술과 칩의 시장 출시 속도를 가속화하는 다차원의 데이터 세트를 생성합니다.

본 시스템의 독보적인 eBeam 컬럼 기술은 현존하는 최상의 전자 밀도를 자랑하며, 정확하고 실행 가능한 측정을 1nm의 해상도에서 시간당 1,000만 회 실시함으로써 상세한 이미징이 가능합니다. 어플라이드의 고유한 Elluminator® 기술은 후방 산란 전자의 95%를 포착하여 여러 층에서 임계 치수 및 가장자리 배치를 동시에 빠르게 측정합니다. 다양한 종류의 eBeam 에너지는 EUV 포토레지스트를 포함하여 수백 나노미터 깊이의 빠른 측정을 위한 고에너지 모드, 취약한 재료 및 구조의 손상 없는 측정을 위한 저에너지 모드가 존재합니다. 수십 년간 이어진 어플라이드의 CD SEM 및 알고리즘 전문성은 주요 형상의 정확하고 세밀한 측정을 보장합니다.

PROVision 3E 시스템은 혁신적인 기술을 통해 수율을 개선하고, 생산 비용을 절약하며, 시장 출시 시간을 단축합니다.