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PROVision® 3E 电子束量测

随着半导体特征的不断微缩以及器件架构变得日趋密集与复杂,制造工艺所涉及的工序越来越多,工艺控制所面临的约束限制也愈加严格。传统的光学量测方法所引发的量测缺陷不断增加,从而导致将预期的图形与片上结果正确关联的难度与日俱增。因此,当今领先的芯片设计需要一种能够突破基于光学的目标近似计算、统计采样和单层控制的新型量测方法。

PROVision 3E 系统通过将纳米级分辨率、高速和穿透成像合而为一,可生成数百万个数据点来正确地完成当今最先进的芯片设计图形化的需求,包括 3纳米晶圆代工逻辑芯片、全环绕栅极(GAA) 晶体管以及下一代 DRAM 和 3D NAND。这些功能让该系统可突破光学量测的盲点,不仅可以在整片晶圆,也可以在芯片的多个不同层面之间执行准确的量测,生成多维数据集,满足实现最佳芯片性能、加快产品上市时间的需求。

该系统领先业界的电子束镜筒技术具备当下可实现的最高电子密度,能够以每小时 1000 万次的准确与可行的测量速度、对1纳米的分辨率进行精细成像。应用材料公司独特的 Elluminator® 技术能够捕获 95% 的背散射电子,以便同时快速测量多个层面上的关键尺寸和边缘布局。电子束能级分布广泛,包括用于快速测量数百纳米深度的高能模式,以及用于无损测量各种脆性材料和结构(包括 EUV 光刻胶)的低能模式。应用材料公司拥有数十年之久的 CD SEM 和算法专业技术和经验,可确保精准测量关键特征。

凭借创新的技术功能特性,PROVision 3E 可改善良率,节省生产成本,缩短产品上市时间。