Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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Tungsten has been widely used as a gapfill material in middle-of-line (MOL) contacts for its low resistivity and bulk fill...
Nokota 系统的高生产率晶圆级封装设备提供的一流性能，可支持各种封装方案中采用的所有电镀工序，从而扩展了应用材料公司的电化学沉积系统的产品线，这涵盖了从倒装芯片和晶圆级芯片规模封装到 2D 和 3D 的扇出、2.5D 的中介层设计和硅通孔等各种封装方案。它可用于...
作为监控生产工序每一步质量的方法，缺陷评估、分类和分析在半导体制造中至关重要。随着半导体器件特征尺寸的缩减、器件复杂度的不断增加，缺陷的尺寸也在缩小，而且缺陷在 3D 器件结构中的位置越来越难被发现，因此需要不断增强成像能力以快速识别相关的关键缺陷。对芯片制造商来说，...
随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。
这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...
应用材料公司的 Aera4 掩膜检测系统是采用 193nm 工作波长的第四代检测工具，它以独特的方式，将真实空间成像技术与前沿的高分辨率成像技术相结合。
Aera4 系统配备了新的光刻级镜头，在标准的高分辨率应用和空间检测中具有更出色的信噪比，因而成为 1x...
应用材料公司的 Aeris™-G 系统是前级泵等离子减降解决方案，相比后级泵减降装置，该解决方案所处理的实际工艺气体量更少且更集中，因此使用的能量更少。在减降过程中，由于 Aeris-G 腔室中较低的氮容量，加上等离子分解，最多可将氮氧化物排放降至接近零的水平。Aeris...
Aeris-Si 是一套用于晶圆厂次洁净室前级管道清洁的综合解决方案，可管理二氧化硅负载并延长泵的使用寿命。该解决方案支持高流量正硅酸四乙酯 (TEOS) 工艺，实现最高沉积速率和产能，同时泵的使用寿命从 1 个月延长至 12 个月甚至更久，从而一年不到即可收回投资。...
Ginestra™ is a software product designed to simulate the operation and electrical characteristics of modern logic (e.g., FinFET, FeFET)...
要达到世界一流水准的光掩膜 CD 均匀度，首先就要确保高质量的光刻胶涂布。在纳米级应用中，很多细微的因素变得重要，包括腔室空气的纯度、温度和湿度，掩模表面的预处理，光刻胶分配和旋涂特性，以及涂胶后烘焙形貌控制。
Sigmameltec 的 CTS...
敏感性掩模材料和掩模使用环境在推动着 193i 和 EUV 光刻中使用的光掩膜清洗方法的发展。掩模清洗工艺已从侵蚀性化学处理演变为更温和的化学制剂结合高频超声波来完成，以去除更小的微粒，获得更洁净的掩模面。
Sigmameltec 的 MRC...
在光掩模制造中使用化学放大型光刻胶，需要严格控制曝光后烘焙 (PEB) 步骤，以完成图形曝光引发的化学反应。最终图形尺寸受烘焙温度和时间的影响，因此烘焙条件必须保持一致且可重复，以确保将曝光工具的 CD 均匀度如实地转印到掩模上。由于烘焙步骤的总热预算对 CD 有显著影响...
在经过严格控制的涂胶、曝光和烘焙工艺处理后，曝光后的光刻胶图案的准确显影，对于保持光掩膜原有的 CD 均匀度至关重要。这需要在掩模表面均匀同步地分配显影液；需要足够的流量来避免显影液损耗，并在所有掩模特征尺寸上实现最佳 CD 线性度；必须隔离各个化学步骤，...
开创性的 Applied Centris 平台集成了多达八个工艺腔室 – 六个刻蚀反应腔和两个等离子清洗腔。 自动化机械臂可实现高速传送，使系统每小时可加工多达 180 片晶圆 – 速度几乎是同类竞争产品的两倍。
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随着半导体技术节点不断缩减，对芯片制造的精度和均匀性要求也越来越严格，从而推动了过去十年来硅刻蚀反应腔的首次全面重新设计。 由此打造的应用材料公司 Centris Sym3 系统，可在关键的刻蚀应用中以前所未有的强大芯片内特征控制能力，提供世界一流的跨晶圆均匀性，在 1x...
Centura DxZ CVD 系统可提供这些薄膜所涉及的大量工艺。应用材料公司在电介质 CVD 薄膜领域的优势基础，始于 TEOS、基于硅烷的氧化物和氮化物，进而又扩大到在先进芯片制造工艺（包括低 k、应变工程以及光刻薄膜）领域占据领先地位。
此外，...
应用材料公司获得过专利的 Ultima HDP-CVD 反应器设计和工艺技术可以为多种应用沉积无掺杂 (USG) 和掺杂（PSG 和 FSG）薄膜，这些应用包括浅沟槽隔离层 (STI)、金属前电介质层 (PMD)、层间电介质层 (ILD)、金属层间电介质层 (IMD)...
反应腔室采用先进材料，可实现“清洁模式”操作，从而降低设备拥有成本，提高产能。 此外，它还消除了第一晶圆效应，从而确保晶圆工艺的可重复性，这一点已获得生产验证。
AdvantEdge Mesa 在晶圆最外缘的刻蚀深度不均匀性 <1% ，且具有 <...
应用材料公司的 Avatar 系统可逐步调节和控制温度，对于每个刻蚀工序都能确保正确的温度设定点和稳定性，再加上三倍频功率输出和多区域气体喷射，在保持基准形貌控制的同时，能达到极其可观的刻蚀深度。客户能够以高产量制造性能高、可靠耐用的下一代器件，...
在 DPN HD 氮化工艺中，使用低能量脉冲等离子向氧化硅介电层注氮，以在栅叠层的氮氧化硅/多晶硅界面层形成所需的高氮浓度，在硅/氮氧化硅界面层形成低氮浓度，从而保持较高的沟道迁移率。新的化学材料和直接高温晶圆加热工艺，可生成更多剂量的氮来满足 3X 和 2Xnm...
应用材料公司的 Centura Epi 系统是经过全球生产验证的 ~900 200mm 腔室单晶圆、多反应腔室外延硅沉积系统。每个采用辐射加热的工艺腔室均可以提供精确和可重复的沉积条件控制，并可以实现完全无滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和电阻率均匀性，以及低缺陷水平。...
在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura...
接近每个节点时，必须缩减叠层厚度以满足不断降低的等效氧化层厚度 (EOT) 目标，从而达到期望的器件性能。微缩至 22nm 及以下时，需要采用原子层沉积 (ALD) 技术才能获得超薄的高 k 介电层。为进一步缩减等效氧化层厚度 (EOT)，需要利用等离子氮化工艺，...
CMOS 技术需要两种类型的晶体管：PMOS和NMOS。对于 PMOS，向沟道施加压缩应力（挤压晶格）最有利于改善其性能，这可以缩短纵距，增强原子间的键耦合，从而提升空穴迁移率。而对于 NMOS，则需要拉伸应力（拉伸晶格），以便增加纵距，...
