离子注入（一种掺杂形式）是集成电路制造中不可或缺的一环。随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。
在 65nm 以下的技术节点，传统的批量高能注入机存在局限性，在高能工艺中会带来器件性能问题。为达到下一代器件制造所需的精确角度控制、剂量控制和生产效率，需要采用单晶圆架构。VIISta 3000XP 还非常适合作为中等电流系统的备用系统。
VIISta...
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新系统充分利用了 VIISta 平台束线架构经过验证的世界一流微粒控制性能。过滤器磁铁从根源去除了大部分不需要的沉积物。三磁铁架构可提供最洁净的中等电流系统束线，在离子束到达晶圆前很好地去除所携带的金属、微粒、交叉物和污染物。直角和束形控制的独特组合提高了注入精度，...
可重复的精确注入角度控制，对于先进器件量产制造中的精确掺杂工艺至关重要。 维利安定位系统（Varian Positioning System，VPS）可在整个全应用包络的控制方面达到合一水平。
VIISta 900XP 可提供业内最干净的波束线。...
在双磁铁带状波束架构上的创新，改进了波束线传输、晶圆上的束流运用以及波束电流输出。
VIISta HCP 的双磁铁带状波束架构，可将晶圆与注入源反应腔内的沉积以及波束线元件内的波束撞击所产生的微粒相隔离。
VIISta HCP...
该系统采用 VIISta 高电流离子注入平台经生产验证的单晶圆架构，为能量纯化、均匀度以及角度和剂量率控制确立了全新标准，可满足先进节点要求，成品率高，最大程度提升生产效率。
Trident 平台将双磁铁带状束流架构与创新的能量纯化模块 (EPM) 相结合，...
该系统的剂量保留率和均匀度领先业界，且关键性功能可带来如下优势：
