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半导体

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                  技术词汇表

                  离子注入

                  离子注入（一种掺杂形式）是集成电路制造中不可或缺的一环。随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。


                  当今，采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。应用材料公司的产品组合涵盖业内常见的四类注入系统。其中的三类属于视线离子束流系统：高电流（用于低能量和/或高剂量应用）；中电流（用于较低剂量）；高能量（用于非常深的注入）。第四类系统利用等离子掺杂，用于要求极高剂量的应用，或对无法通过视线束线系统到达的区域进行共形掺杂（例如，三维鳍式场效晶体管中的侧壁掺杂）。这些系统可提供卓越的波束角控制、剂量控制、均匀度和晶圆间重复性。

                  VIISta® 3000XP

                  在 65nm 以下的技术节点，传统的批量高能注入机存在局限性，在高能工艺中会带来器件性能问题。为达到下一代器件制造所需的精确角度控制、剂量控制和生产效率，需要采用单晶圆架构。VIISta 3000XP 还非常适合作为中等电流系统的备用系统。

                  VIISta...

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                  VIISta® 900 3D

                  Varian VIISta 900 3D 系统是业内领先的中束流离子注入机旗舰产品，适用于 2xnm 以上先进结点的大规模量产。其束线架构专门采用了必要的角度精度和束形控制设计，以便在逻辑 finFET 和 3D...

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                  VIISta® 900XP

                  可重复的精确注入角度控制，对于先进器件量产制造中的精确掺杂工艺至关重要。 维利安定位系统（Varian Positioning System，VPS）可在整个全应用包络的控制方面达到合一水平。

                  VIISta 900XP 可提供业内最干净的波束线。...

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                  VIISta®HCP

                  在双磁铁带状波束架构上的创新，改进了波束线传输、晶圆上的束流运用以及波束电流输出。

                  VIISta HCP 的双磁铁带状波束架构，可将晶圆与注入源反应腔内的沉积以及波束线元件内的波束撞击所产生的微粒相隔离。

                  VIISta HCP...

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                  Varian VIISta® Trident

                  随着芯片设计的日益复杂，所需的离子注入工序亦相应增加。当今，采用嵌入式存储器的CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道，其中很多工序对器件的性能至为重要。

                  该系统采用 VIISta 高电流离子注入平台经生产验证的单晶圆架构，为能量纯化、...

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                  维利安 VIISta® PLAD

                  该系统的剂量保留率和均匀度领先业界，且关键性功能可带来如下优势：

                  高密度、低能量等离子可实现高生产效率，而不会腐蚀或损伤衬底 先进 RF 技术有助进行独特的沉积控制 脉冲直流偏压可提供准确的能量、深度和剂量控制，且具有较宽的工艺容许范围...

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