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化合物半導體

化合物半導體由屬於元素週期表中兩個或多個不同基團的化學元素組成,例如三五族 (III-V)。與矽相比,化合物半導體具有獨特的材料特性,例如直接能帶隙、高擊穿電場和高電子遷移率,從而實現了光子、高速和高功率元件技術。化合物半導體中的電子移動速度比矽中的電子移動速度快得多,進而使處理速度快100倍以上。