蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。
Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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突破性的 Applied Centris 平台結合多達八個製程反應室，包含六個蝕刻和兩個電漿無塵室。 自動化機械臂可實現高速傳送，使系統每小時可處理多達 180 片晶圓 – 比其他競爭系統的速度快兩倍。
真空預載反應室中納有兩個電漿無塵室，...
隨著半導體持續進行微縮，對晶片製造的精密度和均勻度要求也越來越嚴格，因而推動了過去十年來矽蝕刻反應室的首次全面重新設計。 應用材料因此發展了 Centris Sym3 系統，能在重要的蝕刻應用中以無比強大的晶片內部線寬控制能力，提供世界最佳的跨晶圓均勻度，以達到 1x/...
先進的反應室材料可促成「潔淨節點」的操作，不僅能減少擁有成本，並可提升產能。 此外，還可消除頭片晶圓效應，因此能確保晶圓對晶圓的可重複性 (如量產中所驗證)。
AdvantEdge Mesa 可證明晶圓極端邊緣有 <1% 蝕刻深度非均勻性、<...
Applied Avatar 系統結合步驟式的溫度調整和控制，能確保在蝕刻順序中的每一部份皆具有正確的溫度設定點和穩定性，並搭配三頻電源和多區域氣體注入，達到有效的蝕刻深度和標竿輪廓控制。客戶可製造高效能、耐用的高產能新生代元件，並在整體晶圓上具有 97...
Centura 的單晶圓、多反應室架構支持多達四個製程反應室的整合、連續晶圓加工。應用材料公司的 Centura DPS Plus 是公認的鋁蝕刻產業標竿。Applied Centura DPS-DTM是用於SiC的先進深反應式離子蝕刻系統，可在實現高產量的同時，...
現在的元件製造商運用著不同的配置來整合晶片，以便達到最佳的功能體積比。TSV 技術可通過建立垂直路徑來達到 3D 導電層連接；這些路徑可作為整合電路元件來連接堆疊式晶片或晶圓。Applied Centura Silvia Etch 系統專為充滿挑戰的矽晶深蝕刻而設計；...
EUV 光罩與傳統的光罩截然不同，後者是有選擇性地傳輸 193nm 波長的光線，將電路圖案投射到晶圓上。當採用 13.5nm 波長的極紫外光微影技術 (EUV Lithography) 時，所有的光罩材料都是不透光的，因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。...
應用材料公司的 Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能，可滿足 10nm 及以下製程的邏輯和記憶體等元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了業界領先的 Tetra 平台功能，可以採用先進的解析度增強技術，...
Producer Etch 一方面可透過雙反應室和一個雙晶圓傳送盒 (FOUP) 雙自動機械工廠介面提供最高產能密度，另一方面還可提供單反應室效能和製程控制。每個雙反應室都可在單晶圓或雙晶圓模式下操作。透過調整電極間的間隙，可改變蝕刻速率、蝕刻率均勻度以及抗蝕劑選擇性，...
Producer® Selectra™ Etch 系統推出前所未有的功能特性，透過進一步微縮三維邏輯和記憶體晶片尺寸，來維持摩爾定律的動力。此製程可針對一個或多個薄膜的選擇性來除去靶材。
在建立先進積體電路中，晶片線寬尺寸逐漸變小，深寬比變得更高，...
