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半導體

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                  PVD

                  PVD is characterized by a process in which a metal vapor is generated by sputtering or evaporation of a target material that then condenses on the wafer surface. Applied has more than 25 years of experience in PVD technology development and holds undisputed market leadership in this segment.

                  PVD 沉積製程使用於建立超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜可以為半導體製造的各種邏輯和記憶體應用。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬、鈦和氮化鈦線性層、阻障層沉積、以及用於連接金屬的銅阻障層種子沉積。

                  PVD 薄膜沉積需用一個高真空平臺，這裡的製程將脫氣和表面預處理技術相結合，以獲得最佳介面和薄膜品質。應用材料公司的 Endura 平臺是當今工業 PVD 金屬化的黃金標準。

                  Ioniq

                  Endura® Ioniq™ W PVD

                  As integrated circuits and their components continue to scale downward, the dimensions of metal interconnects and contacts between...

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                  Endura

                  Endura® CIRRUS™ HT Co PVD

                  隨著積體電路及其組件持續向下微縮，組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件，連接組件必須維持最小電阻，元件才可能進一步微縮。

                  這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...

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                  Axcela PVD

                  AXCELA™ 物理氣相沈積

                  在過去的十年中，同級最佳的 Applied Axcela PVD 系統，已經證明了製程的優越性和穩定性，其不均勻度小於 2％ 1σ。專為將持有成本降到最低和達到對厚 8µm 薄膜的易維護性而設計，每個濺鍍反應室的標準功能是可以沉積三種不同的材料，...

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                  Charger® UBM PVD

                  應用材料的 Charger UBM PVD (凸塊下金屬材物理氣相沉積) 系統為晶片封裝的金屬沉積生產和可靠性所定義的新標準。該 Charger 系統專為 UBM (凸塊下金屬材)、RDL (重佈線路層) 以及 CMOS 影像感測器應用所設計；...

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                  PCRAM System

                  ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

                  Applied Endura ® Impulse™ PVD系統是一套具有生產價值的整合式解決方案，適用於相變隨機存取記憶體 (PCRAM) 和電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 大批量製造 (HVM)。PCRAM 和 ReRAM 是新興的非揮發性記憶體，可以填補...

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                  Endura® ALPS® PVD (ALPS Co & Ni)

                  應用材料的 Endura 先進低壓源 (ALPS) 鈷物理氣相沉積 (PVD) 系統針對高深寬比結構中的閘極和觸點，提供簡單、高效能的矽化層解決方案。ALPS 技術將鈷延伸應用在 ≤90nm 以下技術節點，可提供優異的鈷底部覆蓋，且電漿不會對元件造成損壞，缺陷數量極少。...

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                  Endura® Amber™ PVD

                  迄今為止，離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過，若超過 2xnm 節點，即使是最佳化的阻障層/晶種製程，且具有均勻覆蓋和無任何懸突，還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。

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                  Endura® Avenir® RF PVD

                  Endura Avenir 系統的射頻物理氣相沉積技術可解決高介電/金屬閘極應用以及 22 奈米和以上的邏輯接觸點矽化問題。

                  Avenir 系統針對高介電常數/金屬電晶體提供前閘極和後閘極積體製程方案，讓晶片製造商能在兩種方式之間輕鬆轉換。對於前閘極，...

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                  Endura® Cirrus™ HTX PVD

                  Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積 (PVD) 氮化鈦 (TiN) 薄膜技術，能解决下一代元件的硬光罩可延展性難題。 隨著晶片線寬尺寸不斷縮小，硬光罩創新對於更複雜微小的導電層結構的精確圖案化至關重要。 新系統運用多年的 PVD...

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                  MRAM

                  Endura® Clover™ MRAM PVD

                  Applied Endura Clover MRAM PVD 系統是第一套具有生產價值的整合式平台，可用於量產 (HVM) 磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 裝置。快閃記憶體正面臨與其基於電荷作業相關的縮放極限；MRAM 是最具潛力的替代品，...

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                  Endura® CuBS RFX PVD

                  EnCoRe II Ta(N) 反應室具有可調整厚度的能力，讓客戶能降低線路阻障厚度，以便將線路電阻微縮到 3x/2x 節點，同時通過出色的底部和側壁覆蓋率，減少電遷移和應力遷移。針對銅晶種層，EnCoRe II RFX 銅反應室採用創新的磁控動作、...

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                  Endura® PVD

                  應材的 Endura 平台是半導體產業有史以來最成功的金屬化系統。透過其跨越了前端金屬化的沉積能力，例如鈷和鎢；鋁和銅互連；以及其封裝應用（例如凸點下金屬化），過去20年製造的絕大多數微晶片都是使用迄今已交付的10,000多種Endura系統之一所生產的。

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                  Endura® Ventura™ PVD

                  應用材料公司的 Endura Ventura PVD 系統專為TSV 金屬化而設計，是公司在物理氣相沉積 (PVD) 領域的最新創新，使客戶能夠將其 2D 鑲嵌積體基礎設施和專門技術擴展到深寬比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介層應用。這也是首個針對 TSV 的...

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                  Endura

                  Endura® Versa™ XLR2 W PVD

                  隨著積體電路及其組件持續向下微縮，組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件，連接組件必須維持最小電阻，元件才可能進一步微縮。

                  這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...

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                  Endura® iLB™ PVD/ALD

                  本系統採以 ALD (原子層沉積) 技術為主的經濟效益方式，提供覆蓋率達 90% 以上超薄、均勻、優質阻障薄膜，將客戶目前安裝的 iLB PVD/CVD 系統製程水準擴展至 32 奈米及更先進節點。 此系統沉積氮化鈦薄膜時，電漿損害或高介電值材料特性的不良改變等風險都很小...

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                  Endura® 凸塊下金屬化 PVD

                  有效的晶圓溫度控制和壓力調變能使導線金屬和焊接凸點之間整合，並達到低擁有成本…採用 Preclean XT 進行有機殘留物和原生氧化層的原位同步移除，可確保表層乾淨並促進低接觸電阻和絕佳的附著性。

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                  Pika PVD

                  PIKA™ 氣相物理沈積

                  Applied Pika 氣相物理沈積系統是現今業界最小、最快的單晶圓氣相物理沈積設備，專為想要以低持有成本，從事高效研發和小量生產而設計。精巧的系統（1657mm x 755mm x 1822mm）結合了脫氣、預清潔和濺射沉積模組，...

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                  Topaz PVD

                  TOPAZ™ 物理氣相沈積

                  Applied Topaz 物理氣相沈積系統適用於持續增長的 PLP 面板級封裝市場，在最大達 600mm x 600mm 的基板上展現領先業界的尖端能力。由於對低成本和卓越性能電子產品需求，促使業界從 WLP晶圓級封裝 轉換到 PLP面板級封裝。PLP...

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                  Endura Cobalt

                  鈷產品套件

                  Applied Materials 自 20 年前推出雙鑲嵌製程以來，仍繼續擴大公司在金屬領域的領導地位，並在接觸點與導線領域推出重大的材料創新。三種最新沉積製程輔以新的退火產品和經過生產驗證的 CMP 設備，構成端到端製程套件（如下所示），以實現使用鈷作為導電材料，...

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