PVD沉積製程是用在先進電晶體採用高介電系數金屬閘極技術時,以及在形成超薄隔絕材料和導線的晶種層時,製造超薄保護層和金屬閘極薄膜。
隨著積體電路及其組件持續向下微縮,組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件,連接組件必須維持最小電阻,元件才可能進一步微縮。
這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...
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應用材料的 Charger UBM PVD (凸塊下金屬材物理氣相沉積) 系統為晶片封裝的金屬沉積生產力和可靠性定義新標準。該 Charger 系統專為凸塊下金屬材 (UBM)、重佈線路層 (RDL) 以及 CMOS 影像感測器應用所設計,...
應用材料的 Endura 先進低壓源 (ALPS) 鈷物理氣相沉積 (PVD) 系統針對高深寬比結構中的閘極和觸點,提供簡單、高效能的矽化層解決方案。ALPS 技術將鈷延伸應用在 ≤90nm 以下技術節點,可提供優異的鈷底部覆蓋,且電漿不會對元件造成損壞,缺陷數量極少。...
迄今為止,離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過,若超過 2xnm 節點,即使是最佳化的阻障層/晶種製程,且具有均勻覆蓋和無任何懸突,還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。
Endura Avenir 系統的射頻物理氣相沉積技術可解決高介電/金屬閘極應用以及 22 奈米和以上的邏輯接觸點矽化問題。
Avenir 系統針對高介電常數/金屬電晶體提供前閘極和後閘極積體製程方案,讓晶片製造商能在兩種方式之間輕鬆轉換。對於前閘極,...
Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積 (PVD) 氮化鈦 (TiN) 薄膜技術,能解决下一代元件的硬光罩可延展性難題。 隨著晶片線寬尺寸不斷縮小,硬光罩創新對於更複雜微小的導電層結構的精確圖案化至關重要。 新系統運用多年的 PVD...
EnCoRe II Ta(N) 反應室具有可調整厚度的能力,讓客戶能降低線路阻障厚度,以便將線路電阻微縮到 3x/2x 節點,同時通過出色的底部和側壁覆蓋率,減少電遷移和應力遷移。針對銅晶種層,EnCoRe II RFX 銅反應室採用創新的磁控動作、...
應材的 Endura 平台是半導體產業有史以來最成功的金屬化系統。透過其跨越了前端金屬化的沉積能力,例如鈷和鎢;鋁和銅互連;以及其封裝應用(例如凸點下金屬化),過去20年製造的絕大多數微晶片都是使用迄今已交付的10,000多種Endura系統之一所生產的。
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應用材料公司的 Endura Ventura PVD 系統專為TSV 金屬化而設計,是公司在物理氣相沉積 (PVD) 領域的最新創新,使客戶能夠將其 2D 鑲嵌積體基礎設施和專門技術擴展到深寬比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介層應用。這也是首個針對 TSV 的...
本系統採以 ALD (原子層沉積) 技術為主的經濟效益方式,提供覆蓋率達 90% 以上超薄、均勻、優質阻障薄膜,將客戶目前安裝的 iLB PVD/CVD 系統製程水準擴展至 32 奈米及更先進節點。 此系統沉積氮化鈦薄膜時,電漿損害或高介電值材料特性的不良改變等風險都很小...
有效的晶圓溫度控制和壓力調變能使導線金屬和焊接凸點之間整合,並達到低擁有成本…採用 Preclean XT 進行有機殘留物和原生氧化層的原位同步移除,可確保表層乾淨並促進低接觸電阻和絕佳的附著性。