PVD沉積製程是用在先進電晶體採用高介電系數金屬閘極技術時，以及在形成超薄隔絕材料和導線的晶種層時，製造超薄保護層和金屬閘極薄膜。
隨著積體電路及其組件持續向下微縮，組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件，連接組件必須維持最小電阻，元件才可能進一步微縮。
這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...
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應用材料的 Charger UBM PVD (凸塊下金屬材物理氣相沉積) 系統為晶片封裝的金屬沉積生產力和可靠性定義新標準。該 Charger 系統專為凸塊下金屬材 (UBM)、重佈線路層 (RDL) 以及 CMOS 影像感測器應用所設計，...
應用材料的 Endura 先進低壓源 (ALPS) 鈷物理氣相沉積 (PVD) 系統針對高深寬比結構中的閘極和觸點，提供簡單、高效能的矽化層解決方案。ALPS 技術將鈷延伸應用在 ≤90nm 以下技術節點，可提供優異的鈷底部覆蓋，且電漿不會對元件造成損壞，缺陷數量極少。...
Endura 鋁片物理氣相沉積 (PVD) 系統為邏輯和動態隨機存取記憶體元件的鎢插塞提供鋁沉積，形成金屬佈線。 此系統提供優異的抗電遷移能力和表面形態，並且具有低持有成本和高系統可靠性。
Endura 鋁片物理氣相沉積系統納入經生產驗證的...
迄今為止，離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過，若超過 2xnm 節點，即使是最佳化的阻障層/晶種製程，且具有均勻覆蓋和無任何懸突，還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。
Endura Avenir 系統的射頻物理氣相沉積技術可解決高介電/金屬閘極應用以及 22 奈米和以上的邏輯接觸點矽化問題。
Avenir 系統針對高介電常數/金屬電晶體提供前閘極和後閘極積體製程方案，讓晶片製造商能在兩種方式之間輕鬆轉換。對於前閘極，...
Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積 (PVD) 氮化鈦 (TiN) 薄膜技術，能解决下一代元件的硬光罩可延展性難題。 隨著晶片線寬尺寸不斷縮小，硬光罩創新對於更複雜微小的導電層結構的精確圖案化至關重要。 新系統運用多年的 PVD...
EnCoRe II Ta(N) 反應室具有可調整厚度的能力，讓客戶能降低線路阻障厚度，以便將線路電阻微縮到 3x/2x 節點，同時通過出色的底部和側壁覆蓋率，減少電遷移和應力遷移。針對銅晶種層，EnCoRe II RFX 銅反應室採用創新的磁控動作、...
此系統的沉積製程整合了領先業界的 Endura 平台，能符合可擴展銅阻障層和銅鋁或銅鎢擴散阻障層的需求。 Extensa TTN 在同一個反應室中，無需改變硬體，即可針對鈦、金屬化氮化鈦 (TiN)、完全氮化氮化鈦沉積提供獨特的多種物理氣相沉積製造能力，...
该系统将Siconi硅化物前处理与PVD钴和TiN帽沉积集成在DRAM外围的直接接触应用中。矽化鈷針對高深寬比周邊觸點提供最低電阻，因此能在更低電壓下進行更高驅動電流，勝過 CVD 矽化鈦技術。
應材的 Endura 平台是半導體產業有史以來最成功的金屬化系統。透過其跨越了前端金屬化的沉積能力，例如鈷和鎢；鋁和銅互連；以及其封裝應用（例如凸點下金屬化），過去20年製造的絕大多數微晶片都是使用迄今已交付的10,000多種Endura系統之一所生產的。
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應用材料公司的 Endura Ventura PVD 系統專為TSV 金屬化而設計，是公司在物理氣相沉積 (PVD) 領域的最新創新，使客戶能夠將其 2D 鑲嵌積體基礎設施和專門技術擴展到深寬比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介層應用。這也是首個針對 TSV 的...
本系統採以 ALD (原子層沉積) 技術為主的經濟效益方式，提供覆蓋率達 90% 以上超薄、均勻、優質阻障薄膜，將客戶目前安裝的 iLB PVD/CVD 系統製程水準擴展至 32 奈米及更先進節點。 此系統沉積氮化鈦薄膜時，電漿損害或高介電值材料特性的不良改變等風險都很小...
有效的晶圓溫度控制和壓力調變能使導線金屬和焊接凸點之間整合，並達到低擁有成本…採用 Preclean XT 進行有機殘留物和原生氧化層的原位同步移除，可確保表層乾淨並促進低接觸電阻和絕佳的附著性。
