快速升溫製程處理會在半導體元件製程生產中重複數次，目的是為了活化植入摻雜物或變更材料狀態 (或階段)，以強化所需要的電性 (例如傳導性) 。以浸入、尖峰或毫秒退火和乾式快速氧化作不同應用。
在 DPN HD (高純度解耦電漿氮化) 氮化過程中，用低能量脈衝式電漿將氮注入氧化矽介電質，在閘極堆疊的氮氧化物/多晶矽介面產生所需要的高氮濃度，並維持在矽/氮氧化物介面的低氮濃度，以維持高通道遷移率。新的化學材料以及直接高溫晶圓加熱，可以達到 3X 及 2X...
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As CDs continue shrinking, the number of steps needed to pattern small structures is increasing, thus creating the need for treatments...
Astra DSA 系統在設計時充分考慮了生產效率、設備緊密度和可靠性，並且提供引人注目的持有成本優勢和預期生產價值，而這些正是此類型退火的關鍵因素。
此系統創新技術突破關鍵氧化步驟的微縮障礙，如記憶體閘極氧化層、淺溝隔離內壁氧化層、犧牲氧化層、側壁氧化層、快閃記憶體穿隧氧化層、ONO 堆疊。RadOx 搭載於經過生產驗證的高生產效率 Vantage 機台，可在領先業界的 Radiance 反應室中，...
此系統利用已建立的 Radiance 反應室技術：蜂巢型燈源、七點溫度測量、100 Hz 閉迴控制和 240 rpm 晶圓旋轉。最佳化硬體和溫度控制為植入和其他退火提供了無與倫比的尖峰退火均勻性，以及更寬泛的低溫矽化物處理。
除了优异的温度均匀性，该系统还提供从超低温到超高温（150°C-1300°C）的大工艺范围。因此，它结合了其前身VantageRadiance®PlusRTP系统的先进尖峰功能，具有多功能性，可用于附加步骤，如次秒钟退火，超低温退火和各种金属退火。其“快速尖峰”...
