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退火產品廣泛應用於半導體元件製造,目的是改變材料的電性或物理特性(電導率、介電常數、緻密化或減少污染)。
以長溫退火、瞬間退火、毫秒級退火、和自由基熱氧化製程作不同應用。選擇哪種技術取決於許多因素,包含元件在製程中的特定要求,如對特定溫度及其暴露時間的容忍度。應用材料的燈泡式、雷射式和加熱器式系統產品採用全方位退火技術,對於先進技術的挑戰,如圖案負載效應、熱積存縮減、電流洩漏、矽介面品質最佳化和高產能製程等要求,都提供可擴展的解決方案。
在 DPN HD (高純度解耦電漿氮化) 氮化過程中,用低能量脈衝式電漿將氮注入氧化矽介電質,在閘極堆疊的氮氧化物/多晶矽介面產生所需要的高氮濃度,並維持在矽/氮氧化物介面的低氮濃度,以維持高通道遷移率。新的化學材料以及直接高溫晶圓加熱,可以達到 3X 及 2X...
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由於臨界線寬 (CD) 持續縮小,圖案化小型結構所需的步驟數量不斷增加,處理多個圖案化圖層的需求因應而生。針對性製程可修改圖案化薄膜,以改善其在多重圖案化過程中的蝕刻選擇性。此外,金屬迴流技術也成為填充高深寬比線寬結構的必要條件。目標是使金屬層達到無孔洞、大粒度的金屬成長...
應用材料公司所提供的 Vantage RadiancePlus 快速升溫製程系統是業界領先的高生產力解決方案,適用於高產量的一大氣壓快速升溫製程應用,結合世界級的快速升溫製程反應室技術和經生產驗證的低擁有成本機台。此系統採用精簡模組設計,可單機整合出貨,...
在32/28 奈米及以下節點,尖峰退火 (spike anneal) 的主要挑戰在於如何最小化晶片中由於輻射能量吸收變動所造成的溫差。此現象稱為圖案負載效應 (PLE)。Vulcan 系統「將技術反轉」,在晶圓下方使用加熱燈,最小化圖案負載效應,達到優異的加熱均勻度...
應用材料公司所提供的 Vantage Astra DSA(動態表面退火)系統是應用材料首款雷射式退火工具,針對先進矽化需求提供無可比擬的功能,以持續微縮元件尺寸。此系統已使先進 finFET 元件降低接觸電阻。Astra 動態表面退火(DSA) 技術建立在應用材料在...
先進元件微縮需要更薄及更優質的氧化層,同時須具備低漏電流、高可靠性、較低的熱積存等特性,以及更嚴密的製程控制。應用材料公司所提供的 Vantage RadOx RTP 具備自由基氧化化學特性,可在低熱積存下生成高密度、高品質的氧化層。
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