skip to main content

ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

Endura® Impulse™PVDは、相変化メモリ(PCRAM)および抵抗変化型メモリ(ReRAM)デバイス向け量産用に、統合されたソリューションを提供します。PCRAMとReRAMは、DRAM(データ処理で使用)とNAND(データストレージで使用)の間の価格とパフォーマンスのギャップを埋めることができる新しい不揮発性メモリです。PCRAMとReRAMは、メモリの書き込み・読み出し速度、消費電力、ストレージの信頼性を向上し、電源供給がない場合でも、データを保持することができます。

Impulse PVDは、最大7つの成膜チャンバで構成され、プリクリーン、アニール処理、デガスチャンバが統合されています。アプライド マテリアルズのPVDに関する幅広い専門知識を活用し、成膜チャンバは実績のあるPVDテクノロジーをいくつか採用して、低消費電力でデータ呼び出し速度を向上させる化合物材料を正確に成膜します。世界中で生成されるデータ量が指数関数的に拡大する中、これらのデータを人工知能(AI)アプリケーションで処理するために必要な電力が増加しており、高速のデータアクセスと低電力コンピューティングが最優先事項になっています。

特殊なImpulse GST PVDチャンバは、電流を介して熱にさらされると、高コンダクタンスのアモルファス状態から低コンダクタンスの結晶状態に変化する化合物相変化材料を成膜します。この材料は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、およびテルル(Te)で構成されるカルコゲナイドガラス化合物で、その頭字語からGSTと呼ばれています。このチャンバで成膜した高密度GST膜は、デバイスの速度と耐久性を向上します。同様に、異なるバージョンのImpulseチャンバは、ReRAM用の抵抗変化型メモリ材料として、膜厚と組成の均一性が制御された金属酸化物と金属窒化物を成膜するように最適化されています。

Avenir™ RF PVDチャンバは、オボニックスイッチ(OTS: ovonic threshold switch)層を成膜します。これは通常、電圧に応じて導電体から絶縁体に変化するGe、ヒ素 (As)、およびセレン (Se) の化合物です。OTSは、PCRAMおよびReRAMのセレクタ材料で数多く使われています。Avenirチャンバは、正確なしきい値電圧とオフ状態制御に必要な高密度のアモルファス膜を成膜するように改良されています。さらに、自動可変容量技術により、メモリの信頼性と寿命に不可欠なこのレイヤ内の極めて優れた組成均一性を達成し、磁石の配置によりウェーハ全面の膜厚均一性を効果的に制御します。ソフトウェア制御の統合パッシベーションキットは、OTSチャンバの高い生産性を維持し、安全で費用効率の高いメンテナンス性を提供します。

膜厚が厳しい仕様を満たすのを確実にするため、装置のオンボード計測が積層膜成膜時にGST層とOTS層の膜厚を測定します。ウェーハが真空状態を維持しているため膜特性が劣化せず、極めて高精度(0.2オングストローム)な測定が可能になります。リアルタイムのレイヤごとのモニタリングにより、プロセスの逸脱を迅速に検知し、量産において重要な歩留まりの向上、コスト削減、市場投入までの時間の短縮が可能になります。

Applied Endura® Clover™ MRAM PVD の詳細はこちら。