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半導体

Producer® Black Diamond® PECVD

Applied Producer Black Diamond 3はアプライド マテリアルズのナノ多孔質Low-k誘電体技術における優位性をさらに発展させたもので、先進の配線を28nm以下の領域まで展開可能にします。

Russ Perry が、Low-k膜の進化とBlack Diamond誘電体群の最新機種の利点について説明します。

Black Diamond IIナノ多孔質Low-k膜は、k値約2.5の45／32nm銅／Low-k配線での業界標準です。 low-k ナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。PECVD成長による有機シリケートガラスの「バックボーン」と熱的に不安定な有機相の作成、次いで紫外線硬化により不安定相を除去（ここで多孔質を生成）、残った酸化シリコンのマトリクスを再構築および強化して、最終的にナノ多孔質膜を生成します。

次世代のBlack Diamond 3膜は、業界をリードする同技術を超Low-k（ULK）膜（k~2.2）として強化し、22nm以下までスケーリングしてデバイスの高速化に貢献しています。また、最新の高度なパッケージングに要求される機械的強度（硬度と柔軟性）も備えています。この膜は水分に対する耐性が優れ、エッチング、フォトレジスト除去後のk値が安定しており、機械的強度も優れています。

Producer Black Diamond 3装置はApplied Producer Nanocure™ 3紫外線硬化装置と併せて使用できるように設計されています。Nanocure 3装置は、Black Diamond 3膜の機械的、光学的特性の最適化に必要な安定性、密度を供給するため、高強度紫外線源を採用しています。

この2段階での膜成長、硬化プロセスにより、アプライド マテリアルズの実績ある第2世代Black Diamond膜と比較して2倍の機械的強度を実現し、デバイスのバラツキを抑え、チップの歩留まりを飛躍的に向上します。