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PROVision® 3E 電子ビーム計測

半導体のフィーチャーの微細化が進み、デバイス構造が高密度で複雑になるにつれて、ファブプロセスは工程数が増加し、プロセス制御に課せられる制限はより厳しくなっています。従来の光学的計測技術では、十分な計測がされず、意図したパターンとダイ上の実測結果との相関性を確保することが困難になっています。このため、現在の最先端チップデザインには、光学的ターゲットベースの近似や統計的サンプリング、単層制御などを超える新しい計測手法が求められています。

PROVision 3Eは、ナノメートルレベルの解像度、高速処理、レイヤ透過イメージングを組み合わせて、3nmファウンドリ・ロジックチップ、gate-all-around (GAA)トランジスタ、次世代DRAM、3D NANDなど、今日の最先端チップデザインを正確にパターン化するために必要な数百万個の計測データを提供します。これらの機能によって、光学計測技術では見えなかった部分を見通すことができ、ウェーハ全面およびチップ上の多層間での正確な計測を可能にします。多次元のデータセットを生成することができ、最高のチップ性能を実現し、市場投入を加速します。

業界トップ水準の電子ビームカラム技術は、使用可能な最高レベルの電子密度を備えており、正確で実行性ある測定を1時間あたり1千万回行いながら、1nmの解像度で詳細な画像処理を実現します。アプライドマテリアルズ独自のElluminator®技術は、反射電子の95%を捕捉し、微細寸法とエッジプレースメントを複数レベルで同時に素早く計測します。電子ビームのエネルギー幅が広く、高エネルギーモードでは深さ数百nmの高速計測に対応し、低エネルギーモードではEUVフォトレジストなどのぜい弱な材料や構造のダメージフリー計測に対応しています。アプライドマテリアルズが数十年にわたって培ってきたCD SEMとアルゴリズムの知見により、微細形状を正確かつ精緻に計測します。

PROVision 3Eは、その革新的な技術的特長により、歩留まりを改善、生産コストを削減し、市場投入までの期間を短縮します。