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Reflexion® LK CMP

業界をリードする300mm CMPプラットフォームとして、最新の研磨、洗浄、および乾燥技術を実装するため、Reflexion LK システムを一新しました。業界唯一の3プラテン連続研磨プラットフォームを維持し、3ステップCMPアプリケーション向けにパフォーマンスと生産性が最適化されています。プラットフォームは引き続き、Desica®クリーナーを使用し、ウォーターマーク欠陥がほとんどなく、パーティクルを劇的に低減する独自の完全浸漬Marangoni™気相乾燥テクノロジーを採用しています。

Applied Reflexion LK システムはまた、エンドポイントシステム、インラインの測定器、および先進のプロセス制御機能のすべてを装備しています。これにより、インライン方式および先進のプロセス制御能力を提供し、すべての平坦化アプリケーションで、優れたウェーハ面内およびウェーハ間のプロセス制御と繰り返し精度を確保します。さらに、ウィンドウ・イン・パッド(ウィンドウを有する研磨パッド)特許技術が、スループットに影響を与えることなく、すべてのウェーハで正確なリアルタイムの研磨制御を可能にしました。新しいエンドポイントおよび研磨プロファイル制御システムのFullVision® XEとRTPC XE in-situ は、すべてのストップインおよびストップオンの絶縁膜および金属膜CMPアプリケーションに対して、ブロードバンド分光もしくはホール効果渦巻流センサー技術を使用することで、Cpk(工程能力指数)を大幅に改善し、CMP消耗部材や初期ウェーハ特性によるプロセスのドリフトやばらつきによって起きるウェーハのスクラップを最小限に抑えます。