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エピタキシー

エピタキシーは、半導体製造において、半導体デバイスを作り込むための欠陥がない完全な結晶基板層の生成、設計された電気特性を備えた結晶膜の形成、または、電気伝導率の改善を目的に下地層の機械的特性の変更のために使用されます。


この最後のアプリケーションは、歪み技術といわれるもので、トランジスタチャネルの格子構造において、圧縮もしくは張力歪み技術を持つエピタキシャル層を生成します。アプライド マテリアルズのエピタキシー技術は、これら全てのアプリケーションに対応し、ドーパント原子の精密な配置、きわめて低い欠陥発生率、選択的成膜とともに、すぐれた均一性の膜を生成します。