PVD 成膜プロセスは、先進のトランジスタ向けのHigh-k／メタルゲートにおける、極薄キャップ相とメタルゲート膜の作成、配線の極薄バリア材料とシード層の形成に使用されます。
Today’s global digital transformation is driving the need for lower-cost, higher-density DRAM chips, particularly for data center...
View product detail
集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...
The best-in-class Applied Axcela PVD system has demonstrated process superiority and stability with non-uniformities of <2% 1σ over...
The Applied Materials Charger UBM PVD system defines a new standard in metal deposition productivity and reliability for chip packaging...
Applied Endura ALPS (Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD（物理気相成長）システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。...
今日まで、イオン化物理気相成長（PVD）は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。2xnm以降のノードでは、最も最適化されたバリア／シードプロセスにおいて、オーバーハングのないコンフォーマルなカバレージが達成できても...
Endura AvenirシステムのRF PVD（物理気相成長）技術は、High-k／メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。
High-k／メタルトランジスタでは、...
チタン窒化物（TiN）の薄膜に、革新的な物理気相成長（PVD）テクノロジーを提供するEndura Cirrus HTX TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。チップのフィーチャーが縮小し続けるに連れ、...
The thickness tuning capability of the EnCoRe II Ta(N) chamber enables customers to reduce barrier thickness for line resistance scaling...
MEMSやCMOSイメージセンサといった新興のアプリケーション、Si貫通電極（TSV）のようなパッケージングテクノロジーが、窒化アルミニウム（AIN）、酸化インジウム錫（ITO）、酸化アルミニウム（Al2O3）、ゲルマニウム（Ge）といった、PVDの開発を牽引しています...
能動的なウェーハ温度制御とストレス調整により、低いCOO（Cost of Ownership）を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。プリクリーンXTを用いた残留有機物や自然酸化物のin-situ除去により、...
TSVメタライゼーション向けに特別に設計されたApplied Endura Ventura PVD装置は、アプライド マテリアルズの物理気相成長（PVD）における最先端の製品で、お客様は2Dダマシン統合インフラやアスペクト比10：1以上のTSVのノウハウ、2....
同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90％以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-...
The Applied Pika PVD system is the smallest, fastest, single-wafer PVD tool in the industry today, designed for high-performance R&D...
The Applied Topaz PVD system serves the growing market for PLP, demonstrating leading-edge capabilities on substrates of up to 600mm x...
