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半導体

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                  PVD

                  PVD 成膜プロセスは、先進のトランジスタ向けのHigh-k／メタルゲートにおける、極薄キャップ相とメタルゲート膜の作成、配線の極薄バリア材料とシード層の形成に使用されます。

                  最先端のデバイスでは、等角性および均一性の高い超薄膜の生成が非常に困難になってきています。アプライド マテリアルズのプロセスは、最終デバイスの適切な電気的性能の確保において、より優れた結果を提供します。

                  Endura

                  Endura® CIRRUS™ HT Co PVD

                  集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...

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                  Axcela PVD

                  AXCELA™ PVD

                  クラス最高性能を誇るアプライド マテリアルズのAxcela PVD装置は、10年間にわたりプロセスの優位性と面内均一性1σで2％以下という安定性を実証してきました。きわめて優れたCOO（Cost of Ownership）と、8μmまでの膜厚に対応した設計で、...

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                  Charger® UBM PVD

                  アプライド マテリアルズのCharger UBM PVDは、半導体パッケージング工程における、メタル成膜の生産性と信頼性を一新します。UBM（アンダーバンプメタル層）、RDL（再配線層）、CMOSイメージセンサ アプリケーションなどに向けて設計され、...

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                  PCRAM System

                  ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

                  Endura® Impulse™PVDは、相変化メモリ（PCRAM）および抵抗変化型メモリ（ReRAM）デバイス向け量産用に、統合されたソリューションを提供します。PCRAMとReRAMは、DRAM（データ処理で使用）とNAND（データストレージで使用）...

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                  Endura® ALPS® PVD (ALPS Co & Ni)

                  Applied Endura ALPS (Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD（物理気相成長）システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。...

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                  Endura® Amber™ PVD

                  今日まで、イオン化物理気相成長（PVD）は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。2xnm以降のノードでは、最も最適化されたバリア／シードプロセスにおいて、オーバーハングのないコンフォーマルなカバレージが達成できても...

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                  Endura® Avenir® RF PVD

                  Endura AvenirシステムのRF PVD（物理気相成長）技術は、High-k／メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。

                  High-k／メタルトランジスタでは、...

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                  Endura® Cirrus™ HTX PVD

                  チタン窒化物（TiN）の薄膜に、革新的な物理気相成長（PVD）テクノロジーを提供するEndura Cirrus HTX TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。チップのフィーチャーが縮小し続けるに連れ、...

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                  MRAM

                  Endura® Clover™ MRAM PVD

                  Endura Clover MRAM PVD は、業界初の磁気抵抗メモリ（MRAM）デバイスの大規模な量産（HVM）に向けた統合プラットフォームです。フラッシュメモリは、電荷ベースの動作によりスケーリングの限界に直面しています。MRAMは、...

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                  Endura® CuBS RFX PVD

                  The thickness tuning capability of the EnCoRe II Ta(N) chamber enables customers to reduce barrier thickness for line resistance scaling...

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                  Endura® PVD

                  MEMSやCMOSイメージセンサといった新興のアプリケーション、Si貫通電極（TSV）のようなパッケージングテクノロジーが、窒化アルミニウム（AIN）、酸化インジウム錫（ITO）、酸化アルミニウム（Al2O3）、ゲルマニウム（Ge）といった、PVDの開発を牽引しています...

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                  Endura® Underbump Metallization PVD

                  能動的なウェーハ温度制御とストレス調整により、低いCOO（Cost of Ownership）を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。プリクリーンXTを用いた残留有機物や自然酸化物のin-situ除去により、...

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                  Endura® Ventura™ PVD

                  TSVメタライゼーション向けに特別に設計されたApplied Endura Ventura PVD装置は、アプライド マテリアルズの物理気相成長（PVD）における最先端の製品で、お客様は2Dダマシン統合インフラやアスペクト比10：1以上のTSVのノウハウ、2....

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                  Endura

                  Endura® Versa™ XLR2 W PVD

                  集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...

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                  Endura® iLB™ PVD/ALD

                  同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90％以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-...

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                  Pika PVD

                  PIKA™ PVD

                  アプライド マテリアルズのPika PVD装置は、業界最小、最高速の枚様式PVD装置で、高性能の研究開発と、低いCOO (Cost of Ownership)での少量生産向けに設計されています。コンパクトな装置（1657mm x 755mm x 1822mm）には、デガス...

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                  Topaz PVD

                  TOPAZ™ PVD

                  アプライドマテリアルズのPVD装置Topazは、市場が拡大しているパネルレベルパッケージング（PLP: Panel Level Packaging）市場に向けて展開しており、最大600mm x 600mmの大きさの基板に対応した先進の技術を提供します。...

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                  Endura Cobalt

                  コバルト製品群

                  アプライド マテリアルズはメタライゼーションにおける技術的リーダーシップを更に推し進め、20年前にCuがデュアルダマシンに導入されて以来、最も重要な材料のイノベーションをコンタクトと配線に導入しました。3つの新しい成膜プロセスは、...

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