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ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

Applied Endura® Impulse™ PVD 시스템은 위상 변화 랜덤 액세스 메모리(PCRAM) 및 저항성 랜덤 액세스 메모리(ReRAM) 장치의 대량 생산을 위한 생산 가치가 있는 통합 솔루션입니다. PCRAM과 ReRAM은 데이터 처리에 사용되는 DRAM과 데이터 저장에 사용되는 NAND 간의 가격 대비 성능 격차를 해소할 수 있는 비휘발성 메모리로 부상하고 있습니다. PCRAM과 ReRAM은 전원이 없어도 소프트웨어와 데이터가 유지되므로 저장 및 검색의 속도, 전력 효율 및 신뢰성을 개선할 수 있습니다.

Impulse 시스템은 세정(pre-clean), 어닐(anneal), 디가스(degas) 챔버와 통합되는 최대 7개의 증착 챔버로 구성됩니다. 이 증착 챔버들은 Applied의 광범위한 PVD 전문성에 의해 입증된 Applied의 여러 PVD 기술을 사용하여 까다로운 정밀도로 낮은 소비 전력과 함께 데이터 읽기 속도를 개선하는 화합물 재료를 증착할 수 있습니다. 전 세계적으로 생성되는 데이터 양이 기하급수적으로 증가하고 인공지능 애플리케이션이 이러한 데이터를 처리하는 데 필요한 전력이 증가함에 따라 빠른 데이터 액세스와 저전력 컴퓨팅이 우선시되고 있습니다.

전문화된 Impulse GST PVD 챔버는 전류를 통해 열에 노출될 때 고전도 비정질 상태(high-conductance amorphous state)에서 저전도 결정질 상태(low-conductance crystalline state)로 변화되는 화합물 위상 변화 재료를 증착합니다. 이 재료는 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루르(Te)로 구성되는 칼코겐화물 글라스의 한 형태입니다. 이 챔버의 우수한 GST 밀도는 소자 속도와 내구성 연장을 촉진합니다. 마찬가지로, 다양한 버전의 Impulse 챔버는 두께 및 조성 균일도의 특별한 컨트롤을 통해 금속 산화물 및 질화물 재료를 ReRAM 용도를 위한 저항성 메모리 재료로 증착할 수 있도록 최적화되어 있습니다.

이 시스템의 Avenir™ RF PVD 챔버는 역시 전압에 따라 전도성에서 저항성으로 변하는, 일반적으로 게르마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se)의 화합물인 오보닉 스레숄드 스위치(OTS) 레이어를 증착합니다. OTS는 PCRAM 및 ReRAM 셀렉터 재료에 대한 탁월한 선택입니다. 이 챔버는 정밀한 임계 전압 및 오프 스테이트 컨트롤에 필요한 조밀한 비정질 필름을 생성하도록 강화되었습니다. 또한, 자동 커패시턴스 튜닝(automatic capacitance tuning)은 메모리 안정성 및 수명에 필수적인 레이어 내에서 구성 균일성을 극대화하고 자석 배열은 웨이퍼 전체의 두께 균일성을 효과적으로 제어합니다. 소프트웨어로 제어되는 통합 페시베이션 키트(passivation kit)는 높은 생산성과 함께 OTS 챔버의 안전하고 비용 효과적인 유지보수를 가능하게 합니다.

필름 두께가 엄격한 사양 내로 유지되도록 하기 위해 이 시스템에는 스택 생성 시 임계 GST 및 OTS 레이어를 측정하기 위한 온보드 계측 장치가 포함됩니다. 진공에서 웨이퍼를 제거함으로써 두께가 도출되는 필름 특성이 변경되거나 저하되지 않으므로 이러한 측정값은 (0.2 옹스트롬 수준으로) 극히 정확합니다. 실시간, 레이어별 모니터링은 프로세스 이탈의 신속한 탐지를 가능하게 하므로 HVM의 주요 고려 사항인 수율 개선, 비용 절감, 마켓 타임 가속화에 도움을 줍니다.

Applied Endura® Clover™ MRAM PVD 시스템에 대해 알아보세요.