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Endura® Volta® Cobalt CVD

Endura® Volta® CVD Cobalt 시스템은 어플라이드가 CVD 분야에서 확립한 기술적 리더십을 이어오고 있습니다. 15년 넘게 이루어진 구리 베리어층/시드층(CuBS) 발전 과정속에서, 지속적인 고성능 인터커넥트 미세화를 구현하기 위해 최초로 물질 변경을 도입하였습니다. 이 최초의 기술은 시드층 강화 라이너(Seed-enhancing Liner)와 선택적 캡층(Cap Layer)을 20Å 미만의 두께로 증착할 수 있어, 인터커넥트 수율을 향상시키고 2Xnm 이하의 노드에서 신뢰성을 더욱 높입니다. 업계 유일의 진공 기반 엘렉트로마이그레이션(EM) 경감 솔루션이며, CVD 코발트 라이너 제품 중 유일하게 동일한 플랫폼 내에서 전세정, 베리어층 공정, 구리시드 층 공정을 수행합니다.

얇은 정합 CVD 코발트 라이너와 선적 코발트 피복층이 코발트 인터커넥트를 캡슐화해서 2Xnm 이하의 노드에서 신뢰성과 미세화를 향상시킵니다.

복잡한 모바일 기술에 대한 요구에 따라 개발된 다중 컴포넌트 시스템 온 칩(SoC) 설계는 원하는 기능과 소형화를 구현하기 위해 많이 활용되고 있습니다. 이러한 첨단 프로세서를 위한 공격적 미세화로 인해 이러한 멀티 레벨 소자에서 길이가 몇 마일에 달하는 인터커넥트에서 더 높은 회로 밀도와 고성능이 요구되고 있습니다. 이러한 흐름은 소자 작동을 위해 반드시 필요한 공극 없는 구리 인터커넥트를 만들어내는 피복성, 접착성, 충진의 달성을 더욱 어렵게 만들고 있습니다. 공극이 하나라도 있으면 칩의 일부분이 쓸모없게 될 수 있습니다.

Volta CVD Cobalt 시스템은 구리 인터커넥트 기술을 확장하기 위한 신소재 시대를 인도합니다. 구리 웨팅(wetting)을 향상시켜 구리 시드층 피복성을 높이기 때문에 얇고 연속적인 정합층을 생성할 수 있고 불연속 부위를 쉽게 리페어하고 견고한 시드층을 만들 수 있습니다. 이러한 고품질의 층은 최첨단 노드에서 공극 없는 구리 갭 충진을 가능하게 만듭니다.

또한 형상 구조 미세화로 인해 구리 라인의 저항이 더 높아지고 EM 불량 위험이 더 높아집니다. EM 불량을 피하려면 구리와 유전체 차단층 사이의 경계면에서 고품질의 본딩을 형성하는 것이 필수입니다. Volta 시스템은 동급 최고의(>100:1) 선택비를 가진 금속 피복 공정으로 구리-유전체 경계면의 접착력을 강화해서 라인 저항을 높이거나 시간에 따른 유전체 절연 파괴 특성을 약화시키지 않고 EM 성능을 수십 배 이상 향상시킵니다.

Volta CVD Cobalt를 라이너와 선택적 금속 피복 재료로 복합적으로 사용하면 구리 라인을 완벽하게 캡슐화하고 2Xnm 이하의 노드에서 가장 견고한 인터커넥트를 구현할 수 있습니다.
 

CVD 코발트 시드층 구현 라이너는 견고한 시드층 형성을 촉진해서 공극 없는 갭 충진을 20nm 이하의 노드로 확장합니다.
CVD 선별적 금속 피복 공정은 라인 저항을 높이거나 시간에 따른 유전체 절연 파괴 특성을 약화시키지 않으면서 구리-유전체 접착력을 강화하고 신뢰성을 향상시킵니다.