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Olympia® ALD

지속적인 공정의 미세화로 소자의 성능이 새로운 수준으로 업그레이드되고 있습니다. ALD 기술은 점점 단계 수가 늘고 있는 DRAM, 3D NAND, 로직 FinFET 제조에서 필수적인 기술입니다. ALD로 달성되는 등각성과 균일한 박막 두께가 CD 제어에 결정적입니다. 이와 동시에 제한적인 온도 관리 범위 내에서 고품질의 강인한 박막 공급에 대한 추가적인 수요가 생기고 있습니다.

유전체 박막의 독립적 증착을 위한 Applied Olympia® ALD 시스템은 고유의 시퀀싱 기능을 제공하여, 평면 및 3D 소자를 제조하는 데 필요한 낮은 증착 온도에서 고품질 ALD 박막을 얻어야 하는 중대한 문제를 해결해 줍니다. 또한 이 시스템의 유연한 설계는 ALD 공정의 품질, 다양성, 온도 범위를 충족하는 데 필요한 폭넓고 다양한 전구 물질 수용을 지원합니다.

Olympia 챔버에서는 웨이퍼가 다양한 화학 물질의 격리 영역을 통해 회전합니다. 여기서 각각의 웨이퍼는 두 가지 화학 물질에 연속적으로 노출되는데, 이들 화학 물질이 웨이퍼 표면에서 반응하여 박막의 등각 단층을 생성합니다. 노출 사이클마다 단층이 추가적으로 증착됩니다. 특정 고객의 요구를 충족시키기 위해 이 시퀀스에 처리 공정을 포함할 수 있습니다.
 

Olympia ALD 시스템은 증착 공정에 사용되는 개별 전구 물질이 확실히 분리되도록 보장하는 혁신적인 화학 반응 관리로 차별화됩니다. 이런 독보적인 기능으로 화학 물질이 자유롭게 섞일 때 형성될 수 있는 부산물과 입자의 생성이 최소화됩니다. 따라서 이 시스템은 장시간의 챔버 청소 주기에 걸쳐 운전할 때 결함 발생 빈도가 예외적일 정도로 적습니다. 또한 이 시스템은 각 화학 반응 후 펌프/퍼지 단계가 불필요하므로 기존 시간 분리 ALD보다 생산성이 50% 이상 높습니다.