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이온 주입

이온 주입(도핑의 한 형태)은 집적 회로 제조에 필수적입니다. 칩의 복잡도가 높아짐에 따라 주입 단계도 많아졌습니다. 현재 임베디드 메모리를 탑재한 CMOS 반도체의 경우 필요한 주입 단계는 60개가 넘습니다.


현재 임베디드 메모리를 탑재한 CMOS 반도체의 경우 필요한 주입 단계는 60개가 넘습니다. 어플라이드의 제품 구성은 업계에서 많이 사용하는 네 가지 유형으로 되어 있습니다. 이 중 세 가지는 고전류(저에너지 및/또는 고농도 응용 분야), 중전류(저농도 응용 분야), 고에너지(매우 깊은 주입용)의 라인 오브 사이트 빔 라인 시스템입니다. 네 번째는 라인 오브 사이트 빔 라인 시스템으로는 닿을 수 없는 영역에서 매우 높은 농도나 정합 도핑이 요구되는 응용 분야(예: 3차원 FinFET에서 측벽 도핑)를 위해 플라즈마 도핑을 사용합니다. 이러한 시스템은 첨단 빔 각도 제어, 주입량 제어, 균일성, 웨이퍼간 재현성을 실현합니다.