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最常见的半导体层用非晶硅(a-Si)制造。20多年来,非晶硅薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)一直是制造有源矩阵的主导技术。非晶硅是一种供应充足的低成本材料。
非晶硅是一种供应充足的低成本材料。然而,非晶硅的电子迁移率非常低(每伏秒1平方厘米左右),不足以真正支持诸如高清电视(HDTV)需要的240赫兹的高刷新率。诸如金属氧化物(MO)和低温多晶硅等新材料因具有较高的电子迁移率,正在取代非晶硅,以制造业界两种主要类型的屏幕:液晶显示屏和有机发光显示屏。
AKT的立式溅射系统NEW ARISTO具备业界领先的产能并达到卓越的膜层均匀性。自动化的装卸料能力加上公司获得专利的输送系统,可显著缩短处理周期。先进的阴极旋转技术使NEW ARISTO成为经过市场检验的创新量产解决方案,其目标靶材的利用率远高于常规平面靶材,...
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AKT-PECVD设备支持非硅晶(a-Si)和金属氧化物(MOx)背板技术,可使用的薄膜包括掺杂及未掺杂非晶硅(a-Si)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN),并且可以一次多层沉积镀膜。
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AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD和100K PVD设备能在六代线(1500毫米x1800毫米)、八代线(2200毫米x2500毫米)以及十一代线(2940x3370mm2)的基板上沉积氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)...
AKT EBT TFT阵列测试设备以最小的机械运动,实现高可靠性、较短的计划停机时间和低运行成本。电子束阵列测试设备的特征在于,通过几个平行的电子束迅速地进行大面积定位检测,从而实现快速测试。终极的电子束微小尺寸与精确定位使超高分辨率测试成为可能,...