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钴产品套件

应用材料公司不断扩展其在金属化领域的技术领先地位,推出了自 20 年前铜被引入双镶嵌工艺以来在导线互连领域最重要的材料创新。三种新的沉积工艺,辅以新的退火产品和经过生产验证的 CMP 设备,组成了端到端工艺套件(如下所示),这使得可以使用钴作为导电材料,从而维持高性能逻辑晶体管和互连的缩放。

随着特征临界尺寸 (CD) 不断缩小,降低器件功耗和提高性能速度越来越受到导线和局部互连性能的限制。对于 7 纳米及以下节点,钨间隙填充内电阻的增加会导致功耗提高、芯片性能下降。第一层的铜互连面临着类似的挑战,因为电阻随着铜量的减少而上升,同时也会降低芯片性能。

钴不仅是一种固有电阻低于钨的材料,还因为用于创建钴接触孔的工艺流程能够使得导电金属的体积更大而提高性能,而且能减少相关的方差,从而提高良率。同样,在互连中,钴表现出比铜更好的线性和通孔电阻缩放性能及更少的电迁移,从而促进更高的电流密度。

  • 应用材料公司 Endura Cirrus RT PVD Cobalt:该系统沉积最初的钴薄层,随后的 CVD 工艺将钴粘附在该薄层上。
  • 应用材料公司 Endura Volta CVD Co:该系统在 PVD 层之后沉积钴填料。这一沉积过程产生的接缝随后在退火工序中被消除。
  • 应用材料公司 Endura Versa XT PVD Co:该系统在退火工序后沉积厚覆盖层。
  • 应用材料公司 Producer Pyra Anneal:该系统对晶圆进行加热,导致钴回流,从而消除批量填充的接缝,扩大晶粒尺寸,净化钴,并降低电阻。要阅读以详细了解该系统,请点击此处
  • 应用材料公司 Reflexion LK Prime CMP:该系统使用专为抛光钴而优化的抛光液,可去除前期沉积工序形成的覆盖层,并为后面工序创建平坦表面。要了解该系统,请点击此处阅读。