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半导体

Producer® Black Diamond® PECVD

Applied Producer Black Diamond 3 扩展了应用材料公司在纳米多孔低 K 介电层技术领域的领先地位，以便微缩 28nm 及以下节点的先进互联层。

拉斯·佩里 (Russ Perry) 解释了低 K 薄膜的演变和最新的 Black Diamond 介电层系列成员的优势。

Black Diamond II 纳米多孔低 K 薄膜是 45/32nm 铜/低 K 互联层的行业标准，其 K 值约为 2.5。 低k 制造纳米多孔的低 K 薄膜分为两个步骤，第一步为有机硅酸盐玻璃“脊骨” PECVD 和热不稳定有机相沉积，第二步为紫外线 (UV) 固化，该步骤可以除去不稳定相，从而诱导空隙形成，并重建和强化其余的二氧化硅矩阵，以形成最终的纳米多孔薄膜。

新一代的 Black Diamond 3 薄膜将这一行业领先的技术扩展为超低 K (ULK) 薄膜 (k~2.2)，以便缩放到 22nm 及更先进节点，提升器件速度。它还能提供最新的先进封装方案所需的机械强度（硬度和弹性）。该薄膜具有出色的抗湿性和极佳的机械强度，在刻蚀和去除光刻胶后具有稳定的 k 值。

Producer Black Diamond 3 系统设计为可与 应用材料公司的 Producer Nanocure™ 3 UV 固化系统配合使用。Nanocure 3 系统通过使用高密度的紫外线源来固化和密化 Black Diamond 3 薄膜，以便提供最佳的机械与光学性能。

这种两步式沉积和固化工艺所实现的机械强度比应用材料公司取得成功的第二代 Black Diamond 薄膜高一倍，从而能够降低器件变异性，并提高芯片的成品率。