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产品库

     

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    SmartWeb

    APPLIED SMARTWEB®

    具备从研发到生产的全套扩展性 镀膜宽度介于400毫米(SmartWeb® SL)至1400毫米(SmartWeb® XL)之间 单次涂覆有3个(SmartWeb® SL)至12个(SmartWeb® XL)沉积源 平面与旋转阴极、交流及直流制程 卓越的涂覆质量 在线量测...

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    SmartWeb

    APPLIED SMARTWEB® WF系统

    柔性基膜可见光谱中具高透光率的红外线反射膜层 提高产品质量，厚度不均匀性低于±1.5% 提高生产效率，成熟稳定的工艺带来高良率 降低每米成本，高良率带来高产出 通过在线扫描光学测量，减少浪费昂贵基膜 适合汽车玻璃应用的溅射涂覆窗膜，...

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    Applied Sonetto™

    SHINGLING TECHNOLOGY

    In a standard photovoltaic module, a gap is maintained between the cells to provide clearance with the...

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    TopBeam 1100

    APPLIED TOPBEAM® 1100系统

    汲取超过35年的电子束和溅射卷对卷镀膜经验，TopBeam® 1100S系统结合了两种制程领域的优势：

    电子束蒸镀提供所有真空镀膜制程中最快的镀膜速度。与溅射镀膜相比，氧化物涂覆速度可以快100至数千倍。为了达到精确的涂层厚度及均匀性，...

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    TopBeam 2850

    APPLIED TOPBEAM® 2450/2850系统

    应用材料公司的高功率电子束蒸镀可以用于蒸镀多种不同的金属与氧化物。此工艺提供所有真空镀膜制程中最快的涂覆速度。为了达到精确的涂覆厚度均匀性，必须要有一个横向及纵向操作的闭环嵌入式控制系统。与先进的嵌入式测量系统相结合的ESCOSYS™系统就满足了这项要求。

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    APPLIED TOPCOIL™系统

    TopCoil™平台让应用材料公司的感应加热坩埚技术蒸镀组合更加完善。这是一种针对要求低缺陷性能应用的解决方案，并且能够沉积多种材料。

    TopCoil™系统利用感应加热坩埚，超越传统（食品）包装，适用于多种应用领域 真正实现无针孔，无需在镀膜速度上作出让步，...

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    TopMet Clear

    APPLIED TOPMET™ CLEAR系统

    我们提供用于有机表面涂覆的两种先进氧化铝制程与选项

    在PET基膜上生产15至20纳米薄的透明阻隔膜涂层的同时，AlOx-ECON制程也将资金成本降到最低 AlOx-HAD（Hollow Cathode Activated Deposition...

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    TopMet IP

    APPLIED TOPMET™ IP系统

    我公司真空金属镀膜机的特色是：在聚合物基膜和纸张上进行灰阶及图案化结构的在线图案镀膜，不仅减少一个工艺步骤，还可实现差异化包装。

    在聚合物基膜和纸张上进行在线图案镀膜的真空金属镀膜机 灰阶及图案化结构在线图案镀膜（镀膜宽度为1米）速度高达10米/秒 “...

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    TopMet

    Applied TopMet™系统

    TopMet系统的涂覆速度高达每秒20米，具有无与伦比的生产效率并获得众多设计奖项，代表着工程界真正的卓越性。应用材料公司在卷绕镀膜产品的研制方面具备60多年的经验，并已在世界各地安装了700多套系统，是卷对卷真空镀膜及金属化解决方案市场的领导者。

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    Applied Vericell™ Solar Wafer Inspection System

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    Applied® Sigmameltec® CTS Mask Coat Series

    要达到世界一流水准的光掩膜 CD 均匀度，首先就要确保高质量的光刻胶涂布。在纳米级应用中，很多细微的因素变得重要，包括腔室空气的纯度、温度和湿度，掩模表面的预处理，光刻胶分配和旋涂特性，以及涂胶后烘焙形貌控制。

    Sigmameltec 的 CTS...

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    Applied® Sigmameltec® MRC Mask Clean Series

    敏感性掩模材料和掩模使用环境在推动着 193i 和 EUV 光刻中使用的光掩膜清洗方法的发展。掩模清洗工艺已从侵蚀性化学处理演变为更温和的化学制剂结合高频超声波来完成，以去除更小的微粒，获得更洁净的掩模面。

    Sigmameltec 的 MRC...

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    Applied® Sigmameltec® SFB Mask Bake Series

    在光掩模制造中使用化学放大型光刻胶，需要严格控制曝光后烘焙 (PEB) 步骤，以完成图形曝光引发的化学反应。最终图形尺寸受烘焙温度和时间的影响，因此烘焙条件必须保持一致且可重复，以确保将曝光工具的 CD 均匀度如实地转印到掩模上。由于烘焙步骤的总热预算对 CD 有显著影响...

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    Applied® Sigmameltec® SFD Mask Develop Series

    在经过严格控制的涂胶、曝光和烘焙工艺处理后，曝光后的光刻胶图案的准确显影，对于保持光掩膜原有的 CD 均匀度至关重要。这需要在掩模表面均匀同步地分配显影液；需要足够的流量来避免显影液损耗，并在所有掩模特征尺寸上实现最佳 CD 线性度；必须隔离各个化学步骤，...

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    Axcela PVD

    AXCELA™ PVD

    在过去十年的应用中，堪称同类最佳的 应用材料公司 Axcela PVD 系统已证明了其工艺优越性和稳定性，非均匀度小于 2％ 1σ。每个溅射腔室在设计上都尽量降低设备拥有成本，方便保养维护，可形成厚达 8µm 的厚膜，标配沉积三种不同材料的能力，...

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    Centris® Sym3® Y 刻蚀系统

    半导体缩放持续稳步扩展到个位数节点，对芯片制造的精度和均匀性提出了越来越高的要求。在早期的技术节点，由于特征尺寸较大，所允许的刻蚀深度、线宽/间距宽度或剖面角的变化范围更大，而不会影响到器件性能。同样，在特征表面偶尔残留的微粒也不会有损器件的可靠性。然而，...

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    Centura<sup>®</sup> DPN HD Gate Stack

    Centura® DPN HD Gate Stack

    在 DPN HD 氮化工艺中，使用低能量脉冲等离子向氧化硅介电层注氮，以在栅叠层的氮氧化硅/多晶硅界面层形成所需的高氮浓度，在硅/氮氧化硅界面层形成低氮浓度，从而保持较高的沟道迁移率。新的化学材料和直接高温晶圆加热工艺，可生成更多剂量的氮来满足 3X 和 2Xnm...

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    Epi 200mm

    Centura® EPI 200mm

    应用材料公司的 Centura Epi 系统是经过全球生产验证的 ~900 200mm 腔室单晶圆、多反应腔室外延硅沉积系统。每个采用辐射加热的工艺腔室均可以提供精确和可重复的沉积条件控制，并可以实现完全无滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和电阻率均匀性，以及低缺陷水平。...

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    Centura<sup>®</sup> Etch 200mm

    Centura® Etch 200mm

    在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura...

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    iSprint

    Centura® iSprint™ ALD/CVD SSW

    钨的电阻率低，电迁移性极小，长期以来一直在逻辑和存储器件中用作接触孔和中段（最底层）连接线（将晶体管与集成电路其余部分相连）的首选填充材料。在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，因而可以使用共形 CVD 沉积法进行钨填充集成。不过，在当前最先进的技术节点下，...

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    Centura Prime RP Epi

    Centura® Prime® Epi

    业内领先的 Centura RP Epi 系统已有近二十年的发展历史，体现了应用材料公司在外延生长领域的专业技术实力，在此基础上开发的 Centura Prime Epi，保持了该系统的核心功能，相比上代产品在设备可配置能力和工艺能力上均有提升。...

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    Centura Silvia Etch is designed for the deep silicon etch required to create the vertical connections between chips or wafers

    Centura® Silvia® Etch

    TSV 为产品设计师在高效空间利用方面提供了新的设计自由度，它不仅使各节点的电路元件能够集成，而且增强了功能与性能，使之优于引线接合和倒装芯片 3D 方案。

    器件制造商正在使用各种方案来集成芯片，以便最大限度地提高功能体积比。TSV...

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    Centura® Tetra™ EUV 先进光掩模刻蚀系统

    极紫外光 (EUV) 光掩膜用于新式光刻系统中，通过高能、短波长光源，将电路图形转印到晶圆上。EUV 光源的波长约为目前深紫外光刻所用光源波长的十五分之一，从而能够进一步微缩特征尺寸。

    EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同，后者是有选择性地透射 193nm...

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    Centura® Tetra™ Z 光掩膜刻蚀系统

    应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流，可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力，提供了最佳的 CD 性能，以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。...

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