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应用材料公司的 Centura Ultima HDP CVD 200 毫米和 300 毫米系统提供高密度等离子 CVD 工艺制程。该系统一直是行业领先的主力设备,可提供高质量的电介质薄膜沉积和无孔洞间隙填充工艺。它的反应器可帮助客户实现多代制造所需的产能、...
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应用材料公司的 Charger UBM PVD 系统在芯片封装金属沉积工艺的生产效率和可靠性方面树立了新的标准。Charger 系统专为 UBM、RDL 和 CMOS 影像传感器应用而设计,它采用线性架构,其晶圆产量是其他同类设备的两倍以上,达到市面上最高的生产效率。此外...
Applied SmartFactory Dispatching & Reporting is an automated decision system that improves factory productivity and reduces...
High complexity in manufacturing requires sophisticated durable management. Such complexity can be effectively managed only through...
应用材料公司的 Endura ALPS(先进低压源)Cobalt PVD(物理气相沉积)系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解决方案。ALPS 技术将钴延伸至 90nm 技术节点以下,可提供优良的钴底部覆盖,且不会对器件造成等离子损伤,...
迄今为止,电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是,当节点小于 2xnm 时,即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺,覆盖完好无任何凸悬,也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。
Endura Avenir 系统的 RF PVD 解决了 22nm 及以下节点的高 K / 金属栅极应用以及逻辑接触硅化物问题。
对于高 K / 金属晶体管,Avenir 系统为前栅极和后栅极集成方案提供了各种解决方案,...
通过革新用于氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术,Endura Cirrus HTX TiN 解决了下一代设备的硬掩膜可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸的进一步缩小,硬掩膜创新对于更复杂微小互连结构的精确图形化至关重要。 借助在 PVD...
应用材料公司 Endura Clover MRAM PVD 系统是用于磁性随机存取存储器 (MRAM) 器件大规模量产 (HVM) 的首款具有生产价值的集成平台。闪存的基于电荷的运行特性使其面临着缩放限制;MRAM 最有望成为其替代品,因为其基于电阻的运行更具可缩放性,...
EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度,以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平,同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层,EnCoRe II RFX Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制...
该系统以低成本高效的方式利用 ALD(原子层沉积)技术,通过 90% 以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜,将客户现有的 iLB PVD/CVD 安装基础扩展至 32nm 及之上。 它在沉积 TiN 膜时将等离子损伤或高介电材料属性不利变化的风险降到最小,...
应用材料公司 Endura® Impulse™ PVD 系统是用于相变随机存取存储器 (PCRAM) 和电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 器件大规模量产 (HVM) 且具有生产价值的集成解决方案。PCRAM 和 ReRAM 是新兴的非易失性存储器,可填补 DRAM(...
微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术(如硅通孔 (TSV))领域的新兴应用,正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al2O3) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。
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应用材料公司的 Endura Ventura PVD 系统专为 TSV 金属化而设计,是公司在物理气相沉积 (PVD) 领域的最新创新,使客户能够将其 2D 镶嵌集成基础设施和专门技术扩展到深宽比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介层应用。它也是首个面向 TSV...
随着集成电路及其组件继续微缩,组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为,这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件,必须最大限度地降低电阻,以便能够进一步地微缩。
这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟(或 RC...
钨已广泛用于逻辑接触体、中端和金属栅极填充应用中,因为它具有低电阻和保形批量填充性能。接触体和局部互连线在晶体管和其余的电路之间形成了临界电气通路。因此,低电阻率对于稳健和可靠的器件性能至关重要。然而,随着微缩继续进行,互联层尺寸开始缩小到某种程度,...
在复杂移动技术需求的推动下,多组件系统芯片 (SoC) 设计在迅速激增,以便实现所需的功能和紧凑的形状系数。而当代处理器偏于激进的节距微缩,进一步推动了电路密度的增加,而且对高性能互连线必不可少(这些互连线在多层器件中路径长度近乎几英里)。...
钨因其低电阻率和体积填充性能,已广泛用作中段 (MOL) 导线的间隙填充材料。MOL 导线在晶体管与互连器件之间形成关键的导电通路。因此,确保导线的低电阻率对于整个器件性能来说至关重要。
然而,随着微缩的不断发展,导线尺寸开始缩小到某种程度,...
主动的晶圆温度控制和应力调制便于以低拥有成本和最小的晶粒损失在互联金属与锡铅凸块之间集成。 通过使用 Preclean XT 原位去除有机残留物和自然氧化层,可确保洁净的表面,以便实现低接触电阻和出色的粘附。
等离子体增强化学气相镀膜(PECVD-TFE)设备Enflexor™ Gen 6H PECVD可沉积卓越的阻隔膜层,实现柔性OLED面板技术。Enflexor Gen6H提供一系列的缓冲膜层及网格技术。具备用于全方位一体化系统处理能力的网格自动交换。...
半导体设计和工艺日渐复杂,导致晶圆厂成本飙升。此外,日益上升的成本等因素限制了晶圆生产流程中检测工序的数量。先进晶体管的特征尺寸极小,导致几乎无法从噪音中辨别影响良率的缺陷。在制造 3D 结构和实施复杂的多重图形工艺时,微小的偏差可能积聚,从而产生影响良率的致命缺陷。...
Growing complexity in semiconductor manufacturing has led to new enterprise wide challenges for planning, including increased...
SmartFactory Equipment Automation is an automation design and control framework, providing equipment integration and logic orchestration...
如果维修时间至关重要,零部件更换方案 Express Exchange (ExE) 可为返修零部件提供快速更换服务,从而避免等待时间。ExE 解决方案从应用材料公司先前维修的零部件库中提供更换零部件,降低客户的总拥有成本。对于那些并不在工艺中发挥关键作用的零部件而言,...