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ALD

ALD 是当今最先进的平面器件及行业转向 3D 架构的关键推动因素。应用材料公司的 ALD 系统可在晶圆上面沉积各类氧化物、金属氮化物和金属物,每次沉积单层厚度的几分之一,以在先进晶体管、存储器件和互连应用中制造超薄薄膜层。

 

ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力,是其成为微缩与 3D 技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能:薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和均匀厚度,这两点是新兴 3D 器件设计的必备特性。