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半导体

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                  CVD（化学气相沉积）

                  CVD（化学气相沉积）工艺有着广泛的应用。从晶体管结构图形化薄膜到电路导电金属层之间的绝缘材料，CVD 工艺的身影无所不在。典型应用包括浅沟槽隔离层、金属前电介质层、金属层间电介质层和钝化保护层。该工艺也在应变工程中发挥重要作用，采用压缩或拉伸应力薄膜来改善导电性，从而提升晶体管的性能。

                  典型应用包括浅沟槽隔离层、金属前电介质层、金属层间电介质层和钝化保护层。CVD 工艺也在应变工程中发挥重要作用，采用压缩或拉伸应力薄膜来改善导电性，从而提升晶体管的性能。复杂的形貌对外形特征有严格的要求，需要无孔洞间隙填充；对于薄膜材料，需要不断降低电容，以便加快晶体管切换速度；为了经受先进移动技术晶圆级封装工艺所伴随的额外工序，薄膜要具有一定的耐受性；应用材料公司的多样化解决方案能够完好满足这些需求。

                  Centura® Ultima HDP-CVD®

                  该系统的反应器采用独特设计和工艺技术，既可沉积无掺杂薄膜，又可沉积掺杂薄膜，应用十分广泛，包括沉积浅沟槽隔离层（STI）、金属前电介质层、层间电介质层（ILD）、金属层间电介质层（IMD）和钝化保护层。

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                  iSprint

                  Centura® iSprint™ ALD/CVD SSW

                  钨的电阻率低，电迁移性极小，长期以来一直在逻辑和存储器件中用作接触孔和中段（最底层）连接线（将晶体管与集成电路其余部分相连）的首选填充材料。在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，因而可以使用共形 CVD 沉积法进行钨填充集成。不过，在当前最先进的技术节点下，...

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                  Endura Cobalt

                  Cobalt Product Suite

                  Applied Materials continues to extend its technical leadership in metallization, introducing the most significant material innovation in...

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                  Endura® Volta™ W CVD

                  钨已广泛用于逻辑接触体、中端和金属栅极填充应用中，因为它具有低电阻和保形批量填充性能。接触体和局部互连线在晶体管和其余的电路之间形成了临界电气通路。因此，低电阻率对于稳健和可靠的器件性能至关重要。然而，随着微缩继续进行，互联层尺寸开始缩小到某种程度，...

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                  Endura® Volta™ Cobalt CVD

                  在复杂移动技术需求的推动下，多组件系统芯片 (SoC) 设计在迅速激增，以便实现所需的功能和紧凑的形状系数。而当代处理器偏于激进的节距微缩，进一步推动了电路密度的增加，而且对高性能互连线必不可少（这些互连线在多层器件中路径长度近乎几英里）。...

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                  Endura® Volta™ 选择性钨化学气相沉积

                  钨因其低电阻率和体积填充性能，已广泛用作中段 (MOL) 导线的间隙填充材料。MOL 导线在晶体管与互连器件之间形成关键的导电通路。因此，确保导线的低电阻率对于整个器件性能来说至关重要。

                  然而，随着微缩的不断发展，导线尺寸开始缩小到某种程度，...

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                  Producer® APF™ PECVD

                  该系统几乎可以在每一个先进的 DRAM、NAND 闪存和 NOR 闪存制造现场运行，该系统可生产业界第一个可商用的 PECVD 可灰化无定形碳薄膜，该薄膜可用于STI 图案成形、栅极、位线、接触、电容和互联功能。它也是自对准双图案成形集成中的实现薄膜之一，以便将标准...

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                  Producer® Avila™ PECVD

                  TSV 制造工艺需要减薄器件晶圆，然后将其粘结到由玻璃或硅制成的临时载体上。由于一般粘结剂的热预算约为 200ºC，所以这些混合型晶圆的所有后续加工必须在非常低的温度下进行。在低温下沉积高质量的薄膜需要一定的 RF 功率级，在该功率级下，会在晶圆表面产生相当可观的额外热量...

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                  Producer® BLOk™ PECVD

                  BLOk 薄膜能够大幅降低介电薄膜叠层的电容，同时还可以保持出色的刻蚀选择比和电学性能，有利于进一步的 RC 缩放。久经验证的表面预处理和初始层工艺使 BLOk 很容易与 Black Diamond 薄膜集成，从而确保顺利向 45nm 及以下节点应用换代过渡。

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                  Producer® Black Diamond® PECVD

                  Black Diamond II 纳米多孔低 K 薄膜是 45/32nm 铜/低 K 互联层的行业标准，其 K 值约为 2.5。 低k 制造纳米多孔的低 K 薄膜分为两个步骤，第一步为有机硅酸盐玻璃“脊骨” PECVD 和热不稳定有机相沉积，第二步为紫外线 (UV) 固化...

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                  Producer® CVD 200mm

                  应用材料公司的 Producer 系统全球销量愈 3,000 套，是业内最具成本效益的晶圆加工平台。该平台采用创新的 Twin Chamber 架构，最多可同时处理六个晶圆，达到极佳的生产效率。

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                  Producer® Celera™ PECVD

                  该系统将应力氮化物沉积与 UV 固化工艺相集成，可提供高达 1.7GPa 的拉伸应力，同时符合低热预算要求。 同一腔室可沉积压缩应力高达 3.5 GPa 的薄膜。 该工艺利用经过生产验证的硅烷 CVD 技术，可提供出色的阶梯覆盖 (~70%)，同时保持极佳的 SiN...

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                  Producer® DARC® PECVD

                  APF/DARC 薄膜叠层与应用材料公司的 APF™（先进图形化薄膜）可剥离 CVD 硬掩膜结合使用，可提升刻蚀优化解决方案的刻蚀选择比、CD 控制和线条边缘粗糙度。应用材料公司的 Producer DARC PECVD 提供广泛的折射率和消光系数值精调范围，...

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                  Producer® Eterna™ FCVD™

                  芯片制造商在芯片设计上不断缩小晶体管的尺寸，以提升单位尺寸的芯片功能。随着晶体管的缩小，晶体管之间的空隙也在变小，彼此之间的物理隔离也变得日益困难。

                  使用高品质的介电质材料填充晶体管之间通常形状不规则的微小空隙（间隙），变得越来越有困难，20nm...

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                  Producer GT CVD Platform Angle View

                  Producer® HARP

                  这一独特的HARP工艺采用获得专利的臭氧/TEOS化学技术，通过沉积应变诱导薄膜，显著提高二维平面逻辑器件中晶体管的驱动电流，延长存储器件中数据的保留时间，在不增加集成电路复杂度和成本的情况下，显著提升晶体管性能。当 HARP工艺与其他应变诱导薄膜（...

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                  Producer® Invia™ CVD

                  对于想要开拓 TSV 业务的客户，InVia 系统不仅提供一流的工艺，而且能够在 TSV 制造工序中体现出集成价值。它是能够满足中通孔 TSV 的热预算和共形性要求的唯一工艺。独特的沉积工艺可带来明显优于标准规格的薄膜击穿电压和漏电流。

                  InVia...

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                  Producer® XP Precision™ CVD

                  Precision 腔室经过专门设计，可均匀地进行层间沉积，达到栅叠层所需的薄膜质量，从而能够帮助芯片制造商从平面架构过渡到 3D NAND 生产。 该产品具备调整多个工艺和腔室环境参数的独特能力，是唯一使客户能够以严格的均匀性和极少的缺陷数沉积不同薄膜交替层的工具。...

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                  的Centura®DXZ CVD

                  碳化硅（SiC）是新兴的用于高速应用的材料。然而，其透明性使得晶圆处理变得特别严苛。DXZ CVD系统配备了增强的功能，能可靠而细致地处理碳化硅（SiC）晶圆，包括从Loadlock的晶圆映射，到清晰的晶圆定向，再到晶圆放置。

                  Centura...

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