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CVD(化学气相沉积)

CVD 工艺是将基材暴露于一种或多种挥发性前体,这些前体在基材表面上发生反应或分解,从而形成所需的薄膜沉积物。CVD(化学气相沉积)工艺有着广泛的应用。从图形化薄膜,到晶体管结构中和形成电路的导电金属层之间的绝缘材料(例如 STIPMDIMD、共形衬垫和导体间隙填充),CVD 工艺的身影无所不在。

CVD 工艺也在应变工程中也发挥着重要的作用,它采用压缩或拉伸应力薄膜来改善导电性,从而提升晶体管的性能。应用材料公司的多元化解决方案,可满足在复杂图案上保持轮廓特征的无孔洞间隙填充沉积的严苛需求。日益渐增的低电介质系数薄膜材料的沉积,可提高晶体管响应速度和稳定性,同时对于随着先进移动科技上晶圆级封装(WLP)技术的应用衍生出的更多工艺步骤,具有良好的耐受性。