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离子注入

离子注入(一种掺杂形式)是集成电路制造中不可或缺的一环。随着芯片设计的日益复杂,所需的离子注入工序亦相应增加。当今,采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。


当今,采用嵌入式存储器的 CMOS 集成电路的注入工序可能多达 60 多道。应用材料公司的产品组合涵盖业内常见的四类注入系统。其中的三类属于视线离子束流系统:高电流(用于低能量和/或高剂量应用);中电流(用于较低剂量);高能量(用于非常深的注入)。第四类系统利用等离子掺杂,用于要求极高剂量的应用,或对无法通过视线束线系统到达的区域进行共形掺杂(例如,三维鳍式场效晶体管中的侧壁掺杂)。这些系统可提供卓越的波束角控制、剂量控制、均匀度和晶圆间重复性。