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PVD(物理气相沉积)

PVD 沉积工艺用于为先进晶体管高 k 栅介质/金属栅极生成超薄盖帽层和金属栅极薄膜,也用于在互连结构中形成超薄阻挡膜和种子层。

在尖端半导体器件制造中,高度均匀、共形沉积超薄薄膜变得越发困难。 应用材料公司的工艺提供了非常好的结果,确保了最终器件的电学性能。