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應用材料公司Endura® Copper Barrier Seed IMS™系統

新聞聯絡人:台灣應用材料 譚鳳珠
聯絡電話:03-579-3958
email:pearl_tan@amat.com
發稿日期:民國 110年6月17日
本新聞稿譯自總公司發佈的新聞稿

 

  • 在真空環境中將七種製程技術整合到一個系統中,可將導線電阻減半
  • 新的材料工程方法提高晶片效能並降低功耗
  • 最新的系統展現出應材成為客戶心目中 PPACt 推動公司 (PPACt enablement company™) 的發展策略

應用材料公司推出一種嶄新的佈線工程設計方法,能促使先進邏輯晶片微縮到 3 奈米節點及更小尺寸。

尺寸縮小雖有利於提高電晶體效能,在導線佈線方面卻正好相反:較小的導線會產生更大的電阻,讓效能降低並增加功耗。若無法在材料工程方面有所突破,從 7 奈米節點縮到 3 奈米節點,導線通路電阻將增加 10 倍,反而失去電晶體微縮的好處。

應用材料公司全新的Endura® Copper Barrier Seed IMS™ 銅阻障層晶種整合性材料解決方案,在高真空環境下將七種不同製程技術整合在同一套系統中,改善晶片效能與功耗。觀看製程順序的動畫的連結:https://bit.ly/3g8HMe1.

應用材料公司已開發出一種Endura® Copper Barrier Seed IMS™ (銅阻障層晶種整合性材料解決方案)的全新材料工程解決方案。這是一項整合式材料解決方案,在高真空環境下將七種不同製程技術整合在一套系統中,這七種技術分別是:ALD(原子層沉積)、PVD(物理氣相沉積)、CVD(化學氣相沉積)、銅回流、表面處理、介面工程和量測。該組合使用選擇性 ALD 取代共形 ALD,消除通路介面處的高電阻率阻障層。這項解決方案還加入銅回流技術,在狹窄特徵中實現無空隙填充。通路接觸介面的電阻減少 50%、提升晶片效能和功耗表現,能夠持續將邏輯晶片微縮到 3 奈米及更小尺寸。可在以下連結觀看製程動畫:https://bit.ly/3g8HMe1

應用材料公司資深副總裁暨半導體產品事業群總經理 帕布‧若傑(Prabu Raja) 表示:「一顆智慧型手機晶片內含數百億個銅導線,佈線已用掉晶片三分之一的功率。在真空中整合多種製程技術,讓我們能夠重製材料和結構,讓消費者擁有功能更強大的裝置及更長的電池使用時間。這項獨特的整合解決方案是專為協助客戶加快發展效能、功率和面積成本的技術藍圖。」

全球各大晶圓代工邏輯客戶現已使用 Endura Copper Barrier Seed IMS 系統。應材已於 2021 年邏輯晶片大師課程 (2021 Logic Master Class)中,討論更多有關這項系統及其他邏輯晶片微縮創新技術的資訊。

應用材料公司(那斯達克代號: AMAT)是提供材料工程解決方案的領導者,我們的設備用來製造幾近世界上每顆新式晶片與先進顯示器。我們以工業規模在原子層級進行材料改質的專業,協助客戶將可能轉化成真。在應用材料公司,我們運用創新實現更美好的未來。欲瞭解更多訊息,請至www.appliedmaterials.com

June 17, 2021