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氧化銦鎵鋅 (IGZO) 是一種領先的金屬氧化物薄膜候選材料,其電子遷移率比非晶矽 (a-Si) 高十倍。
IGZO 的高遷移率使得高畫質和 3D 電視螢幕的更新頻率高達 480Hz,並支援可轉換成更小像素的更小型電晶體,以獲得更高的螢幕解析度和更長的電池壽命。製造 MOx 電晶體需要的不僅是用於非晶矽電晶體的電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 技術。IGZO 薄膜是使用物理氣相沉積 (PVD) 製程進行沉積 - 並透過使用 PECVD 製程沉積的 SiO2 介電薄膜層保護其免受氫污染,氫污染可能會導致金屬氧化物劣化。
應用材料全新 AKT 55KS PECVD 將領先市場的精密電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 技術引入大小為 2200mm x 2500mm 的基板。該系統使用一種全新高品質二氧化矽 (SiO2) 製程,為金屬氧化物 (MOx) 電晶體沉積一層電介質層介面,...
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AKT的直立式動態濺射系統 NEW ARISTO 具備業界最高的產能並達到最佳的薄膜均勻度效能。全自動化的裝卸料能力加上公司獲得專利的輸送系統,可顯著縮短生產周期。先進的旋轉靶技術使 NEW ARISTO 成為通過市場驗證的創新量產解決方案,...
AKT EBT TFT 陣列測試儀能夠以最小的機械運動實現高可靠性、低預定停機時間和低運作成本。電子束陣列測試系統具備快速、大面積光束定位功能,可讓多個電子束並行,從而實現高產能。極致的小光束點尺寸和精確的光束定位性能使得超高解析度應用成為可能,...
AKT-PiVot 系統 25KPX PVD 可在 6 代線 (1500x1850 mm²) 基板上沉積氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鎵鋅 (IGZO) 和金屬等薄膜電晶體的關鍵薄膜和連接部分,適用於 LTPS/LTPO 行動裝置。集群概念 (cluster)...
AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD 和 100K PVD 系統能在玻璃尺寸為 6 代線 (1500x1850 mm²)、8.5 代線 (2200x2500 mm²) 以及 11 代線 (2940x3370 m²) 的基板上沉積氧化銦錫 (ITO...