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顧名思義,物理氣相沉積是一種物理過程,而不是化學過程。在這項技術中,比重較大的惰性氣體(通常是氬氣)離子會在高度真空中以電場加速方式撞擊濺鍍源材料的「靶材」。這些離子基本上會擊飛或「濺射」靶材原子。這種濺射的材料(純金屬或合金、TCO(透明導電氧化物)和金屬氧化物)沉積在基板上,就像雪在表面堆積一樣。製程反應室中的高真空環境可以讓靶材原子濺射成鍍膜,然後將其圖案化和蝕刻以形成顯示器中的電晶體結構和導電電路。
AKT的直立式動態濺射系統 NEW ARISTO 具備業界最高的產能並達到最佳的薄膜均勻度效能。全自動化的裝卸料能力加上公司獲得專利的輸送系統,可顯著縮短生產周期。先進的旋轉靶技術使 NEW ARISTO 成為通過市場驗證的創新量產解決方案,...
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AKT-PiVot 系統 25KPX PVD 可在 6 代線 (1500x1850 mm²) 基板上沉積氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鎵鋅 (IGZO) 和金屬等薄膜電晶體的關鍵薄膜和連接部分,適用於 LTPS/LTPO 行動裝置。集群概念 (cluster)...
AKT-PiVot 25K DT PVD、55K DT PVD 和 100K PVD 系統能在玻璃尺寸為 6 代線 (1500x1850 mm²)、8.5 代線 (2200x2500 mm²) 以及 11 代線 (2940x3370 m²) 的基板上沉積氧化銦錫 (ITO...