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鈷產品套件

Applied Materials 自 20 年前推出雙鑲嵌製程以來,仍繼續擴大公司在金屬領域的領導地位,並在接觸點導線領域推出重大的材料創新。三種最新沉積製程輔以新的退火產品和經過生產驗證的 CMP 設備,構成端到端製程套件(如下所示),以實現使用鈷作為導電材料,並藉此維持高性能邏輯電晶體和導線微縮。

隨著線寬 CD 不斷縮小,降低元件功耗和提高效能速度越來越受到接觸點和局部導線的限制。對於 7nm 及以上的節點,鎢隙填電阻的增加會導致功耗更高和較慢的晶片效能。一級銅連接也面臨類似的挑戰,因為阻抗會隨著銅體積的降低而上升,此也會降低晶片性能。

鈷在本質上不僅是電阻低於鎢的材料,且可用來建立鈷接觸點的製程流程,提供更大導電金屬面積以提升性能,另外還會降低變異以提升良率。同樣地,在元件間連線中,鈷表現出比銅更好的線路和導孔電阻縮放和更少的電遷移,促使更高的電流密度。

  • Applied Endura Cirrus RT PVD Cobalt:該系統會沉積最初的鈷薄層,隨後的 CVD 鈷粘附在該薄層上。
  • Applied Endura Volta CVD Co:該系統在 PVD 層之後沉積鈷填充物。由該沉積程序產生的接縫會在後續的退火步驟中消除。
  • Applied Endura Versa XT PVD Co:該系統會在退火步驟後沉積厚覆蓋層。
  • Applied Producer Pyra 退火:該系統會加熱晶圓而引起鈷回流,並消除散裝填充中的接縫、擴大晶粒尺寸、純化鈷並降低電阻。要閱讀有關此系統的更多資訊,請按一下這裡
  • Applied Reflexion LK Prime CMP:該系統使用專為拋光鈷而優化的漿料,可去除早期沉積步驟產生的覆蓋層,並為後續製程步驟建立平坦表面。要閱讀有關此系統的資訊,請按一下這裡