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圖案化

圖案化

圖案化已經促成許多世代的 2D 微縮。過去,圖案化依賴一系列相對簡單的光罩和光蝕刻步驟來印刷圖案,作為後續材料去除和沉積步驟的指引。近來,光蝕刻技術的發展並未與晶片設計的發展保持同步。

甚至在下一代 EUV 微影技術進入發展路線圖時,晶片製造商仍在利用具有成本效益的自對準多圖案化技術,利用間距倍增技術從單一微影製程階段中建立兩條或四條線。不論是否使用 EUV,為正確對準一層中的線寬與下一層中的互補線寬,邊緣放置誤差都是晶片製造商必須克服的挑戰。材料工程作為驅動者,可以提供更廣的定位區,以容許會不利地影響良率的對準偏差。

隨著微影製程成本的增加,記憶體設計人員已著手建構 3D 元件,透過3D 位元的堆疊層降低成本,而非2D 位元的微縮。成本降低源自於增加每立方毫米的位元數,而非增加每平方毫米的位元數。

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