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ALD

ALD 是當今最先進的平面元件及產業轉型至三維架構的關鍵推手。應用材料 ALD 系統會以一次產生一小部份單層的方式,在晶圓上面沉積各類氧化物、金屬氮化物和金屬物,並在先進的電晶體、記憶體和導線應用中建立多個超薄層。

 

ALD 製程會直接在晶片表面逐漸形成物質,一次形成一小部份單層,以便生產出最薄、最均勻的薄膜。製程的自限特性以及均勻沉積的相關能力是成為微縮與三維推手的重要基礎。自限式表面反應讓原子級沉積控制成為可能:薄膜厚度僅取決於執行的反應週期數。表面控制會使薄膜厚度上極為一致與均勻,這些是新興三維元件設計極為重要的特性。