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蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域,以沉積其它材料。
「乾式」(電漿) 蝕刻主要用於形成電路的製程步驟;「濕式」蝕刻 (使用化學槽浴) 則用於清潔晶圓表面。應材也提供創新式的「乾式」移除製程,不需使用電漿,即可選擇性地移除各層薄膜材料。一般而言,部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料 (如光阻劑) 或硬質光罩 (如氮化矽) 所保護。
蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻,用以指明從晶圓上移除的薄膜材料類型。應用材料公司的蝕刻創新技術可滿足挑戰性持續提高的製程要求轉折點 (例如 : 3D NAND、EUV 圖案化和 FOWLP)。
半導體微縮技術持續穩定地發展到個位數節點,為晶片製造的精密度和均勻性設下了日益嚴苛的要求。在早期的節點,由於線寬尺寸較大,所允許的蝕刻深度、線寬/間距寬度或輪廓角度的差異範圍更大,而不會影響到元件效能。同樣,在線寬表面偶爾殘留的微粒也不會損害元件可靠性。然而,...
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Centura 的單晶圓、多反應室架構支持多達四個製程反應室的整合、連續晶圓加工。應用材料公司的 Centura DPS Plus 是公認的鋁蝕刻產業標竿。Applied Centura DPS-DTM是用於SiC的先進深反應式離子蝕刻系統,可在實現高產量的同時,...
TSV 為產品設計師提供了全新且極節省空間的自由度;這項技術不僅能整合不同節點的電路元件,而且能使功能與性能遠超過打線接合和覆晶 3D 配置所能達成的功能與性能。
現在的元件製造商運用著 不同的配置來整合晶片,以便達到最佳的功能體積比。 ...
極紫外線 (EUV) 光罩是以新式微影系統,透過高能量、短波長的光源,將電路圖案轉印到晶圓。EUV 光源波長比目前深紫外線微影製程的光源波長短少約 15 倍,因此能持續將線寬尺寸縮小。
EUV 光罩與傳統的光罩截然不同,後者是有選擇性地傳輸...
The Applied Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能,可滿足 10nm 及以下製程邏輯和記憶體元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了領先業界的 Tetra 平台功能,採用先進的解析度增強技術,在利用四次圖案化來延伸浸潤式微影之下,...
應用材料 Producer Etch 採用 Twin Chamber® 專利設計,是可靠、符合成本效益的生產工具,可供 90 奈米及以下的高生產力蝕刻應用。這套經生產驗證的高度精巧蝕刻機,可配置多達三個雙反應室 (Twin Chamber) 以達到最高產量。
Producer Selectra Etch 系統推出前所未有的功能特性,透過進一步微縮三維邏輯和記憶體尺寸,來維持摩爾定律的動力。此製程可針對一個或多個薄膜的選擇比來除去特定材料。
在建立先進積體電路中,晶片線寬尺寸逐漸變小,深寬比變得更高,...