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量測與檢驗

除了進行量測和晶圓檢驗之外,晶片製造商還需仰賴缺陷檢查、分析和分類,為製造程序中各個步驟進行品質監督與控制措施。測量程序是在驗證生產中的元件在每一個步驟都能達到物理和電氣特性的目標,同時晶圓檢驗可確認表面微粒、圖案缺陷和其他狀況。

量測程序是在驗證生產中的元件,在製造流程的每一個步驟中都能達到物理和電氣特性目標,同時晶圓檢驗可確認表面微粒、圖案缺陷和其他狀況,這些狀況可能損及已完成元件的效能。 驗出的瑕庛會經過檢查、分析和分類,從中找出對元件物理完整性或電氣效能構成威脅的「有害」(或不重要) 瑕庛。

應用材料為前段和後段製程應用提供完整的測量、檢驗和檢查系統。這些系統的光學功能和演算法符合最先進的技術需求,例如自動對準雙圖案法和四圖案法、極短紫外光線層、密集測量光學鄰近效應修正光罩驗證及新興三維架構等使完整和精確影像更具挑戰性的需求。其尖端功能使晶圓製造商建立精確的統計製程控制、迅速達到量產,並持續達到高生產良率。